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박형 실리콘 기판 및 그 제조방법(Thin film silicon substrate and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2017006326
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양질의 박형 실리콘 기판을 안정적으로 구현하기 위한 것으로서, 제 1 반응조 내에 실리콘 모재를 배치하는 제 1 단계; 상기 제 1 반응조 내에서 도금 공정에 의하여 상기 실리콘 모재의 상면에 니켈층을 형성하는 제 2 단계; 상기 니켈층 아래의 상기 실리콘 모재 측면의 적어도 일부에 레이저 스크라이빙 공정으로 그루브(groove)를 형성하는 제 3 단계; 니켈과 실리콘의 응력 차이로 인하여 상기 그루브를 기점으로 크랙이 전파되면서 상기 니켈층과 상기 실리콘 모재의 일부인 박형 실리콘이 상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리되어 분리되는 제 4 단계; 및 상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리되어 분리된 상기 니켈층과 상기 박형 실리콘의 복합 구조체를 니켈 에칭제를 수용한 제 2 반응조에 침지하여 니켈층이 제거된 박형 실리콘 기판을 형성하는 제 5 단계;를 포함하는 박형 실리콘 기판의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01)
CPC H01L 31/1892(2013.01) H01L 31/1892(2013.01) H01L 31/1892(2013.01) H01L 31/1892(2013.01) H01L 31/1892(2013.01)
출원번호/일자 1020150132034 (2015.09.18)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0033995 (2017.03.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.08.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재학 대한민국 대구광역시 수성구
2 노지원 대한민국 대구광역시 달서구
3 김민수 대한민국 경상북도 경산시 경청로***길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0908621-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
4 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0878062-07
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
제 1 반응조 내에 실리콘 모재를 배치하는 제 1 단계;상기 제 1 반응조 내에서 도금 공정에 의하여 상기 실리콘 모재의 상면에 니켈층을 형성하는 제 2 단계;상기 니켈층 아래의 상기 실리콘 모재 측면의 적어도 일부에 레이저 스크라이빙 공정으로 그루브(groove)를 형성하는 제 3 단계;니켈과 실리콘의 응력 차이로 인하여 상기 그루브를 기점으로 크랙이 전파되면서 상기 니켈층과 상기 실리콘 모재의 일부인 박형 실리콘이 상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리되어 분리되는 제 4 단계;상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리되어 분리된 상기 니켈층과 상기 박형 실리콘의 복합 구조체를 니켈 에칭제를 수용한 제 2 반응조에 침지하여 니켈층이 제거된 박형 실리콘 기판을 형성하는 제 5 단계;를 포함하는, 박형 실리콘 기판의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계 내지 제 5 단계로 구성된 단위사이클이 연속하여 반복되며, 상기 제 5 단계에서 회수한 니켈은 후속의 단위사이클에서 상기 제 2 단계의 도금 공정에 재사용되는, 박형 실리콘 기판의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 3 단계에서 상기 그루브는 상기 니켈층으로부터 10㎛ 내지 30㎛ 아래에 형성되는, 박형 실리콘 기판의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 모재의 나머지로부터 박리되어 분리된 상기 니켈층과 상기 박형 실리콘의 복합 구조체는 말려진 롤(roll) 형태를 가지는, 박형 실리콘 기판의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계 내지 제 4 단계는 상기 제 1 반응조에서 수행되며,상기 제 5 단계는 상기 제 2 반응조에서 수행되는, 박형 실리콘 기판의 제조방법
6 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 의한 상기 제조방법으로 구현한, 박형 실리콘 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교 에너지기술개발사업 변환효율 20% 달성을 위한 두께 20μm급 플라즈모닉 초박형 실리콘-금속 변환효율 20% 달성을 위한 두께 20μm급 플라즈모닉 초박형 실리콘-금속 이종접합 태양전지 개발