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프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어방법(Method for controlling bow of free-standing GaN substrates)

  • 기술번호 : KST2017006327
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨 기판의 휨 방향에 따라 습식공정 중에 하나인 에칭 또는 열처리를 달리 수행하여 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 현상을 제어하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 기판의 휨 방향, 응력 분포에 따라 습식공정 중에 하나인 에칭 또는 열처리를 달리하여 프리 스탠딩 GaN 기판의 휨 현상을 제어할 수 있다.본 발명의 방법에 의해 휨이 제거된 프리 스탠딩 GaN 기판은 낮은 전위 결함 밀도와 자기 발열 현상을 보여주므로 소자의 전기적 기계적 특성을 개선시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/12 (2015.11.06) H01L 33/00 (2015.11.06)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020150132020 (2015.09.18)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0033987 (2017.03.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전대우 대한민국 경상남도 진주시 하
2 황종희 대한민국 경상남도 진주시
3 임태영 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 이미재 대한민국 경상남도 진주시 사들로 *
5 김진호 대한민국 경상남도 진주시 사들로 **
6 김진원 대한민국 강원

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준혁 대한민국 경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0908494-93
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0498747-79
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0863150-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0067289-17
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0297255-02
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0387026-97
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0387041-72
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0598885-18
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번호 청구항
1 1
휘어진(bowing) 질화갈륨계 기판을 제공하는 단계 ; 및상기 기판의 상면과 하면 중 압축응력(compressive stress)이 더 크게 걸리는 면에 다공성 영역을 형성하여 평탄화하는 단계를 포함하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판이 콘벡스(convex) 형태로 굽은 경우, 상기 방법은 상기 기판의 N-면(N-face)을 에칭하여 다공성 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판이 콘케이브(concave) 형태로 굽은 경우, 상기 방법은 상기 기판의 Ga-면(Ga-face)을 에칭하여 다공성 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 영역은 습식의 전기화학적 에칭인 것을 특징으로 하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 영역은 복수개의 포어를 포함하는 것을 특징으로 하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 영역의 두께는 30~3,000nm이고, 포어의 직경은 30~1,000nm인 것을 특징으로 하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 전기화학적 에칭은 전해질의 농도, 인가 전압 또는 에칭 시간을 조절하여 평탄화 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
8 8
휘어진(bowing) 질화갈륨계 기판을 제공하는 단계 ; 및상기 기판의 상면과 하면 중 인장응력(tensile stress)이 더 크게 걸리는 면에 열처리를 수행하여 평탄화하는 단계를 포함하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 열처리는 500~1,000℃에서 1분 ~ 10시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
10 10
제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 질화갈륨계 기판의 두께가 200~400㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
11 11
제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 질화갈륨계 기판의 보우(bow)값이 -20~+20 범위인 것을 특징으로 하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어 방법
12 12
상기 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따라 휨이 제거된 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 ;상기 질화갈륨 기판 상에 형성된 제 1 도전형 반도체층, 광활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광다이오드
13 13
기판 상에 질화갈륨 층을 형성하는 단계 ;상기 기판과 질화갈륨층을 분리하는 단계 ;분리된 상기 질화갈륨층의 휨을 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 방법으로 제거하는 단계 ;상기 질화갈륨층 상에 제 1 도전형 반도체층, 광활성층 및 제 2도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.