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무촉매 방식 가변경사각을 갖는 나노 구조물 성장 방법(METHOD FOR INCLINED ANGLE-CONTROLLED GROWTH OF NANOSTRUCTURE WITHOUT CATALYST)

  • 기술번호 : KST2017006343
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무촉매 방식으로 경사각을 갖는 나노 구조물 성장 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 금속촉매를 사용하지 않고 패터닝 및 식각 공정을 통하여 사파이어 기판 또는 화합물 박막 상부에 위치 선택적으로 수평 또는 경사 구조로 나노 구조물을 성장시키는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 무촉매 방식으로 경사각을 갖는 나노 구조물을 성장 방법은, M-면 사파이어 기판 상부에 나노 마스크층을 형성하는 단계; 패터닝 공정을 통해 상기 나노 마스크층을 식각하여 상기 M-면 사파이어 기판을 선택적으로 노출시키는 단계; 상기 M-면 사파이어 기판의 노출된 부분에 다중면 구조의 화합물 핵을 형성하는 단계; 상기 화합물 핵으로부터 상기 M-면 사파이어 기판 표면으로부터 수직 방향으로 소정의 각도를 이루는 나노 구조물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 나아가, 상기 나노 마스크층을 형성하기 전에 상기 M-면 사파이어 기판 표면을 NH3 가스로 질화 처리하여 상기 M-면 사파이어 기판 표면에 R-면 요철구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 무촉매 방식 나노 구조물 성장 방법을 개시하고 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2015.10.27) H01L 29/06 (2015.10.27)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020150132182 (2015.09.18)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0034027 (2017.03.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남옥현 대한민국 서울특별시 강남구
2 이규승 대한민국 경기도 시흥시 정왕천로*
3 채수룡 대한민국 인천광역시 서구
4 장종진 대한민국 경기도 안산시 단원구 화정로 *, ****동 ***호 (군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 경기도 시흥시 산기대학로
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0909660-44
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0776079-21
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1276600-14
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0093836-90
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0156766-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0156765-57
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0440773-09
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0631825-63
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.06.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0631826-19
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0481499-98
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번호 청구항
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M-면 사파이어 기판 표면을 NH3 가스로 질화 처리하여 상기 M-면 사파이어 기판 표면에 R-면 요철구조를 형성하는 단계;상기 M-면 사파이어 기판 상부에 나노 마스크층을 형성하는 단계;패터닝 공정을 통해 상기 나노 마스크층을 식각하여 상기 M-면 사파이어 기판을 단위 크기가 1㎛ 내지 10㎛ 범위로 노출시키는 단계;상기 M-면 사파이어 기판의 노출된 부분에 다중면 구조의 화합물 핵을 형성하는 단계; 및상기 화합물 핵을 기초로 상기 M-면 사파이어 기판 표면에 대하여 수평 방향으로 나노 구조물을 형성하는 단계;를 포함하여, 상기 나노 구조물의 단면은 사다리꼴 형태인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식 나노 구조물 성장 방법
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3 3
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M-면 사파이어 기판 표면을 NH3 가스로 질화 처리하여 상기 M-면 사파이어 기판 표면에 R-면 요철구조를 형성하는 단계;상기 M-면 사파이어 기판 상부에 나노 마스크층을 형성하는 단계;패터닝 공정을 통해 상기 나노 마스크층을 식각하여 상기 M-면 사파이어 기판을 단위 크기가 10nm 내지 1000nm 범위로 노출시키는 단계;상기 M-면 사파이어 기판의 노출된 부분에 다중면 구조의 화합물 핵을 형성하는 단계; 및상기 화합물 핵을 기초로 상기 M-면 사파이어 기판 표면으로부터 수직방향으로 28도 내지 35도를 이루는 나노 구조물을 형성하는 단계;를 포함하여, 상기 나노 구조물의 형상은 나노 막대형상인 것을 특징으로 하는 무촉매 나노 구조물 성장방법
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M-면 사파이어 기판 상부에 GaN 박막층을 형성하는 단계;상기 GaN 박막층 상부에 나노 마스크층을 형성하는 단계;패터닝 공정을 통해 상기 나노 마스크층을 식각하여 상기 GaN 박막층을 선택적으로 노출시키는 단계;상기 GaN 박막층의 노출된 부분에 다중면 구조의 화합물 핵을 형성하는 단계; 및상기 화합물 핵으로부터 상기 GaN 박막층 표면으로부터 수직 방향으로 소정의 각도를 이루는 나노 구조물을 형성하는 단계;를 포함하여,상기 GaN 박막층이 반극성인 경우, 상기 소정의 각도는, 55도 내지 62도이며, 상기 GaN 박막층은 온도 900 내지 1100℃에 도달 후 상기 온도를 5 내지 10분간 유지시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 무촉매 방식 나노 구조물 성장 방법
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M-면 사파이어 기판 상부에 GaN 박막층을 형성하는 단계;상기 GaN 박막층 상부에 나노 마스크층을 형성하는 단계;패터닝 공정을 통해 상기 나노 마스크층을 식각하여 상기 GaN 박막층을 선택적으로 노출시키는 단계;상기 GaN 박막층의 노출된 부분에 다중면 구조의 화합물 핵을 형성하는 단계; 및상기 화합물 핵으로부터 상기 GaN 박막층 표면으로부터 수직 방향으로 소정의 각도를 이루는 나노 구조물을 형성하는 단계;를 포함하여,상기 GaN 박막층이 비극성인 경우,상기 나노 구조물은, 상기 M-면 사파이어 기판 표면에 대하여 수평 방향으로 형성되고, 상기 나노 구조물의 단면은 사다리꼴 형태이며, 상기 GaN 박막층은 온도 900 내지 1100℃에 도달 시 형성되는 것을 특징으로 하는 무촉매 방식 나노 구조물 성장 방법
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M-면 사파이어 기판 상부에 GaN 박막층을 형성하는 단계;상기 GaN 박막층 상부에 나노 마스크층을 형성하는 단계;패터닝 공정을 통해 상기 나노 마스크층을 식각하여 상기 GaN 박막층을 선택적으로 노출시키는 단계;상기 GaN 박막층의 노출된 부분에 다중면 구조의 화합물 핵을 형성하는 단계; 및상기 화합물 핵으로부터 상기 GaN 박막층 표면으로부터 수직 방향으로 소정의 각도를 이루는 나노 구조물을 형성하는 단계;를 포함하는 무촉매 방식 나노 구조물 성장 방법으로,상기 방법은,상기 GaN 박막층을 형성하기 전에, 상기 M-면 사파이어 기판 표면을 NH3 가스로 질화 처리하여 상기 M-면 사파이어 기판 표면에 R-면 요철구조를 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 GaN 박막층이 반극성인 경우,상기 소정의 각도는, 28도 내지 35도이고, 상기 나노 구조물의 형상은 나노 막대형상이며, 상기 GaN 박막층은 온도 900 내지 1100℃에 도달 후 상기 온도를 5 내지 10분간 유지시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 무촉매 방식 나노 구조물 성장 방법
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제1항, 제5항 및 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조된 나노 구조물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
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