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금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층과의 계면에서 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법으로서,금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층 표면 일부 또는 전부 상(上)에 탄소 제공 전구체를 적용하는 제1단계; 및 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물을 순수 금속으로 환원시킬 수 있고 탄소 제공 전구체를 분해할 수 있는 환원 분위기 및 온도 하에서 어닐링(annealing)하는 제2단계를 포함하는 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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제1항에 있어서, 환원 분위기는 수소 함유 분위기인 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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제1항에 있어서, 탄소 제공 전구체는 C, O 및 H를 포함하는 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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제1항에 있어서, 탄소 제공 전구체는 합성고분자, 그래핀, 그래핀 옥사이드, 유기저분자 자기조립층, carbonate, 탄화수소, 당류, 전분, glycol, diol, polyol 및 음식물로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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제1항에 있어서, 탄소계 패시베이션막의 결정성을 탄소 제공 전구체 선택에 따라 조절하는 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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제1항에 있어서, 제1단계 및 제2단계는 동시에 수행되는 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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제1항에 있어서, 금속은 Ni, Cu, Fe, Al, Stainless steel, Cr, Si 및 반도체로 구성된 군에서 1이상 선택된 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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제1항에 있어서, 제2단계에서 어닐링 방법은 rapid thermal annealing (RTA)인 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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제1항에 있어서, 제2단계에서 어닐링 방법은 저압 퍼니스 (low pressure furnace)에서 열처리하는 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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제1항에 있어서, 제2단계에서 어닐링시 온도는 탄소 제공 전구체가 열분해되면서 탄소가 금속 안으로 스며들 수 있는 온도이고, 어닐링시 시간은 탄소 제공 전구체에서 제공되는 탄소가 금속과 결합을 유지하여 금속 표면을 덮을 수 있는 탄소의 양을 함유할 수 있는 시간인 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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제1항에 있어서, 제2단계에서 어닐링시 온도는 350 ~ 650 ℃이고 시간은 5 ~ 60 분인 것이 특징인 탄소계 패시베이션막 형성 방법
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금속층 및 상기 금속층 상에 형성된 탄소계 패시베이션막을 구비한 금속 전극에 있어서,금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층 표면 일부 또는 전부 상(上)에 탄소 제공 전구체를 적용하고, 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층을 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물을 순수 금속으로 환원시킬 수 있고 탄소 제공 전구체를 분해할 수 있는 환원 분위기 및 온도 하에서 어닐링(annealing)하여, 금속층과 탄소계 패시베이션막의 계면에서 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물이 감소 또는 제거된 것이 특징인 금속 전극
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제12항에 있어서, 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 것이 특징인 금속 전극
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제12항에 있어서, 금속층과 탄소계 패시베이션막의 계면에서 XPS에 의해서는 금속 산화물이 검출가능하지 않는 것이 특징인 금속전극
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제12항에 있어서, 금속층과 탄소계 패시베이션막의 계면에서 XPS에 의해서는 금속 카바이드가 검출가능하지 않는 것이 특징인 금속전극
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제12항에 있어서, 금속층과 탄소계 패시베이션막 사이의 접촉저항이 1 ~ 90 옴 (ohm) 인 것이 특징인 금속 전극
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제12항에 있어서, 탄소계 패시베이션막은 그래핀인 것이 특징인 금속 전극
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 탄소계 패시베이션막이 형성된 금속전극을 준비하는 a단계; 및금속전극의 탄소계 패시베이션막 상에 용액공정으로 유기층을 형성시키는 b단계를 포함하는 것이 특징인 유기소자 제조방법
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