| 1 |
1
(A) 합성수지 소재의 베이스 기판 상에 스퍼터링에 의해 3~20nm 두께의 Ti층을 증착하는 단계;(B) 상기 증착된 Ti층 상에 화학기상증착법에 의해 그래핀을 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀층의 형성 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판은 구조 내 산소원자가 함유된 합성수지인 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀층의 형성 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 (B) 단계는 기판의 온도가 150~900℃인 조건에서 화학기상증착법에 의해 그래핀을 성장시키는 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀층의 형성 방법
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 (B) 단계는 기판의 온도가 150~400℃인 조건에서 화학기상증착법에 의해 그래핀을 성장시키는 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀층의 형성 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 (B) 단계의 화학기상증착법에 의한 그래핀의 성장 시 작업압력이 10 mTorr 이하인 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀층의 형성 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 그래핀의 증착전 수소가스로 Ti층을 처리하는 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀층의 형성 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 화학기상증착법에서 반응가스는 탄소원으로 메탄, 에탄, 프로판, 아세틸렌, 메탄올, 에탄올 및 프로판올로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상과, 수소가스의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀층의 형성 방법
|
| 8 |
8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 형성된 그래핀층을 포함하여,합성수지 소재의 베이스 기판;베이스 기판 상에 스퍼터링에 의해 증착된 3~20nm의 Ti층; 및Ti층 상에 화학기상증착법에 의해 증착된 그래핀층;으로 이루어진 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 소자
|
