| 1 |
1
하기 화학식 1의 조성을 가지며, 정방정계(tetragonal) 결정구조를 가지는 금속불화물 적색 형광체
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,K3SiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 28
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,(NH4)3SiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 15
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,(NH4)3GeF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 15
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,Rb2KSiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 27
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,K3TiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 18
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,여기 파장이 365 내지 480 nm인 금속불화물 적색 형광체
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,발광 중심 파장이 610 내지 670 nm인 금속불화물 적색 형광체
|
| 10 |
10
(1단계) A 전구체, M 전구체 및 망간(Mn) 전구체로 이루어진 원료물질을 칭량하여 물리적으로 혼합하는 단계;(2단계) 원료물질 혼합물을 80 ~ 150℃ 오븐에서 건조하는 단계; 및(3단계) 건조된 혼합물을 수소기체, 질소기체 또는 이들의 혼합기체 분위기하에서 100 ~ 500℃로 열처리하여, 하기 화학식 1의 조성비를 가지는 형광체를 제조하는 단계;를 포함하는 금속불화물 적색 형광체의 제조방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,정방정계(tetragonal) 결정구조를 가지는 금속불화물 적색 형광체의 제조방법
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서,K3SiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 28
|
| 13 |
13
제 10 항에 있어서,(NH4)3SiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 15
|
| 14 |
14
제 10 항에 있어서,(NH4)3GeF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 15
|
| 15 |
15
제 10 항에 있어서,Rb2KSiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 27
|
| 16 |
16
제 10 항에 있어서,K3TiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 18
|
| 17 |
17
제 10 항에 있어서,상기 A 전구체는 AF, AHF2, A2O, A2CO3, CH3COO-A, A2MnF6, A2MF6 및 A2MF6:Mn4+로부터 선택된 1종 이상이고,상기 M 전구체는 A2MF6 및 A2MF6:Mn4+로부터 선택된 1종 이상이고,상기 망간(Mn) 전구체는 A2MnF6 및 A2MF6:Mn4+로부터 선택된 1종 이상이고, 이때, A는 K, Rb, NH4 및 이들의 조합으로부터 선택되고, M는 Si, Ge, Ti 및 이들의 조합으로부터 선택된 금속원소인 금속불화물 적색 형광체의 제조방법
|
| 18 |
18
제 10 항에 있어서,상기 3단계의 열처리는 수소 0 ~ 40 부피%와 질소 60 ~ 100 부피%를 이루는 기체 분위기하에서 수행하는 것인 금속불화물 적색 형광체의 제조방법
|
| 19 |
19
(ⅰ단계) A 전구체, M 전구체 및 망간(Mn) 전구체로 이루어진 원료물질을 칭량하여 산에 용해시키는 단계; (ⅱ단계) 원료물질이 용해된 산 용액을 감압 증류하여 고체를 수득하는 단계; (ⅲ단계) 수득된 고체를 80 ~ 150℃ 오븐에서 건조하는 단계; 및(ⅳ단계) 건조된 고체를 수소기체, 질소기체 또는 이들의 혼합기체 분위기하에서 200 ~ 1,000℃로 열처리하여, 하기 화학식 1의 조성비를 가지는 형광체를 제조하는 단계;를 포함하는 금속불화물 적색 형광체의 제조방법
|
| 20 |
20
제 19 항에 있어서,정방정계(tetragonal) 결정구조를 가지는 금속불화물 적색 형광체의 제조방법
|
| 21 |
21
제 19 항에 있어서,K3SiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 28
|
| 22 |
22
제 19 항에 있어서,(NH4)3SiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 15
|
| 23 |
23
제 19 항에 있어서,(NH4)3GeF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 15
|
| 24 |
24
제 19 항에 있어서,Rb2KSiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 27
|
| 25 |
25
제 19 항에 있어서,K3TiF7:Mnx4+의 조성을 가지고, 분말 X선 회절패턴에서 브래그 각도（2θ)가 18
|
| 26 |
26
제 19 항에 있어서,상기 A 전구체는 AF, AHF2, A2O, A2CO3, CH3COO-A, A2MF6 및 A2MnF6로부터 선택된 1종 이상이고,상기 M 전구체는 M 금속 함유 금속산화물, H2MF6 및 A2MF6로부터 선택된 1종 이상이고,상기 망간(Mn) 전구체는 A2MnF6이고, 이때, A는 K, Rb, NH4 및 이들의 조합으로부터 선택되고, M는 Si, Ge, Ti 및 이들의 조합으로부터 선택된 금속원소인 금속불화물 적색 형광체의 제조방법
|
| 27 |
27
제 19 항에 있어서,상기 산은 불산(HF), 염산(HCl) 및 황산(H2SO4)으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속불화물 적색 형광체의 제조방법
|
| 28 |
28
제 19 항에 있어서,상기 ⅳ단계의 열처리는 수소 0 ~ 40 부피%와 질소 60 ~ 100 부피%를 이루는 기체 분위기하에서 수행하는 것을 특징으로 하는 금속불화물 적색 형광체의 제조방법
|
| 29 |
29
제 1 항 및 제 3항 내지 제 9 항 중에서 선택된 어느 한 항의 금속불화물 적색 형광체를 포함하는 백색 발광소자
|
| 30 |
30
제 29 항에 있어서,상기 금속불화물 적색 형광체는 YAG:Ce 형광체 및 L2SiO4:Eu 형광체 (이때, L은 Mg, Ca, Sr 및 Ba로부터 선택된 알칼리 토금속원소이다)로부터 선택된 형광체가 더 포함된 것을 특징으로 하는 백색 발광소자
|
| 31 |
31
제 29 항에 있어서,발광다이오드, 레이저다이오드, 면발광 레이저다이오드, 무기 일렉트로루미네센스 소자, 또는 유기 일렉트로루미네센스 소자로 이용하는 것을 특징으로 하는 백색 발광소자
|
