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양자점을 구비하는 나노선 구조체 및 그 제조 방법(Nanowire structure with quantum dot and Method for manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2017006477
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 와이어 구조체는, 기판; 상기 기판 상에 성장된 복수의 나노와이어; 상기 나노와이어 상에 다층으로 형성되는 양자점; 및 상기 양자점들 중 제1 층을 이루는 양자점과 제2 층을 이루는 양자점 사이에 형성되는 배리어 층;을 포함한다.
Int. CL H01L 29/06 (2015.11.06) H01L 21/02 (2015.11.06) H01L 33/04 (2015.11.06) H01L 31/0352 (2015.11.06)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020150134929 (2015.09.23)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0035702 (2017.03.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 박지현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0929560-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0137639-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0755680-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1245238-62
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-1245237-16
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0300425-86
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.05.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0511297-74
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0511296-28
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0437815-57
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 성장된 복수의 나노와이어;상기 나노와이어 상에 다층으로 형성되는 양자점; 상기 양자점들 중 제1 층을 이루는 양자점과 제2 층을 이루는 양자점 사이에 형성되는 배리어 층; 및상기 제1 층을 이루는 양자점과 배리어 층 사이에 개재되는 확산 방지층;을 포함하며,상기 확산 방지층은, 나노와이어 구조체의 제조가 완료된 이 후에도 상기 제1 층을 이루는 양자점과 배리어 층 사이에 전부 그대로 존재하고,상기 나노와이어는 GaN 으로 이루어지며,상기 양자점은 InGaN 으로 이루어지고,상기 배리어 층은 GaN 으로 이루어지며,상기 확산 방지층은 InAlGaN 으로 이루어지는 나노와이어 구조체
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 발광 소자
7 7
제1항에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 솔라 셀
8 8
제1항에 따른 나노와이어 구조체를 제조하는 나노와이어 구조체의 제조방법으로서,기판을 마련하는 단계;상기 기판 상에서 나노와이어를 성장시키는 단계;상기 나노와이어 상에 제1 층을 이루는 양자점을 형성시키는 단계;상기 제1 층을 이루는 양자점 상에 배리어 층을 형성시키는 단계; 상기 배리어 층 상에 제2 층을 이루는 양자점을 형성시키는 단계; 및상기 배리어 층을 형성시키는 단계 이 전에 제1 층을 이루는 양자점을 커버하는 확산 방지층을 형성시키는 단계;를 포함하며,상기 확산 방지층은, 나노와이어 구조체의 제조가 완료된 이 후에도 상기 제1 층을 이루는 양자점과 배리어 층 사이에 전부 그대로 존재하고,상기 나노와이어는 GaN 으로 이루어지며,상기 양자점은 InGaN 으로 이루어지고,상기 배리어 층은 GaN 으로 이루어지며,상기 확산 방지층은 InAlGaN 으로 이루어지는 나노와이어 구조체의 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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