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측정 대상 농약 성분의 고유 흡수 주파수에 상응하는 주파수를 증폭시키도록 패턴이 형성된 메타부를 가지는 센싱칩을 이용하여, 미량의 농약에 테라헤르츠 전자기파를 조사하여 측정 대상 농약 성분의 잔류량을 검출할 수 있는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 고민감도 잔류량 검출방법
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제1항에 있어서, 상기 검출방법은측정 대상 농약 성분이 분포된 물체 상에 특정 주파수를 선택적으로 증폭시키는 패턴이 형성된 메타부를 가지는 센싱칩을 위치시키는 대상위치단계와;상기 메타부 상에 테라헤르츠 전자기파를 조사하는 광조사단계와;상기 센싱칩을 통과하여 상기 물체를 통과하거나, 상기 센싱칩을 통과한 후 상기 물체에서 반사되어 상기 센싱칩을 다시 통과하는 테라헤르츠 전자기파의 투과율 또는 주파수 변화를 측정하여 측정 대상 농약 성분을 특정하는 대상특정단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 고민감도 잔류량 검출방법
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제2항에 있어서, 상기 대상특정단계는측정 대상 농약 성분의 고유 흡수 주파수와 패턴이 형성된 메타부의 투과 공명 주파수가 상응함에 따라 투과율 또는 주파수 변화가 증대되는 것에 기인하여 측정 대상 농약 성분을 특정하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 고민감도 잔류량 검출방법
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제2항에 있어서, 상기 검출방법은측정대상 농약 성분의 잔류량에 따라 측정되는 테라헤르츠 전자기파의 투과율 또는 주파수 변화의 증가폭의 과소를 기준으로 측정대상 농약 성분의 잔류량을 판단하는 잔류량분석단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 고민감도 잔류량 검출방법
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제2항에 있어서, 상기 패턴은폭이 10nm~1um 사이, 두께가 100nm~1um 사이, 길이가 10um~1mm 사이에서 슬릿형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 고민감도 잔류량 검출방법
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제5항에 있어서, 상기 패턴은복수의 패턴이 일정 간격으로 배열된 어레이 형태를 이루며, 패턴 사이의 간격이 가로가 1nm~1mm 사이, 세로가 1nm~1mm 사이에서 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 고민감도 잔류량 검출방법
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제4항에 있어서, 상기 센싱칩은유연한 재질의 기판 상에 메타부를 형성하여, 굴곡진 형태와 같은 다양한 외형을 갖는 물체 상에도 센싱칩을 용이하게 위치시켜 농약 성분의 잔류량을 검출할 수 있는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 고민감도 잔류량 검출방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항의 검출방법에 사용되는 센칭칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 전자기파를 이용한 고민감도 잔류량 검출방법에 사용되는 디바이스
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