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기판;상기 기판에 고분자로 구성되고 불규칙한 방향으로 기울어진 복수 개의 나노로드; 및상기 나노로드 및 상기 기판의 표면 상에 형성된 금속 함유 박막;을 포함하되,나노로드와 인접한 나노로드 사이에 다양한 크기의 나노갭을 형성하고, 상기 나노갭 중 일부 나노갭들은 상방 또는 하방으로 경사지게 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체를 포함하는 플라즈모닉 광촉매 기판
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제1항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판이고,상기 나노로드는 상기 고분자 기판을 플라즈마 표면 처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매 기판
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제1항에 있어서,상기 나노갭 중 일부 나노갭들은 기판 표면으로 갈수록 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매 기판
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제1항에 있어서,상기 나노로드의 종횡비는 3 내지 20인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 박막 상에 형성된 광촉매 금속 산화물 나노입자 또는 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매 기판
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제5항에 있어서,상기 광촉매 금속 산화물은 이산화티탄, 산화텅스텐, 산화아연, 산화니오븀, 산화철 및 이들의 조합에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 플라즈모닉 광촉매 기판
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7
제5항에 있어서,상기 광촉매 금속 산화물 나노입자 또는 박막은 0
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제1항에 있어서, 상기 금속 함유 박막의 두께는 50nm 내지 350nm인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 함유 박막은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Al 및 이의 합금 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매 기판
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10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈모닉 광촉매 기판을 포함하는 물품
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고분자 기판을 준비하는 단계;상기 기판을 가공하여 불규칙한 방향으로 기울어진 고분자로 구성된 복수 개의 나노로드를 형성하는 단계; 및상기 나노로드 및 상기 기판의 표면 상에 금속 함유 박막을 형성하는 단계;를 포함하되,나노로드와 인접한 나노로드 사이에 다양한 크기의 나노갭을 형성하고, 상기 나노갭 중 일부 나노갭들은 상방 또는 하방으로 경사지게 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광흡수체를 포함하는 플라즈모닉 광촉매 기판의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노로드는 상기 고분자 기판을 플라즈마 표면 처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노갭 중 일부 나노갭들은 기판 표면으로 갈수록 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노로드의 종횡비는 3 내지 20이 되도록 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속 함유 박막 상에 광촉매 금속 산화물 나노입자 또는 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매 기판의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 광촉매 금속 산화물은 이산화티탄, 산화텅스텐, 산화아연, 산화니오븀, 산화철 및 이들의 조합에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 플라즈모닉 광촉매 기판의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 광촉매 금속 산화물 나노입자 또는 박막은 0
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제11항에 있어서,상기 금속 함유 박막의 두께는 50nm 내지 350nm로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매 기판의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속 함유 박막은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Al 및 이의 합금 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광촉매 기판의 제조방법
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