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금속산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 금속산화물 박막을 진공 하에서 열처리하는 단계; 및물 분자 및 산소 분자를 포함하는 분위기에서 상기 금속산화물 박막에 60분 이상의 시간동안 자외선을 조사하는 단계를 포함하고,상기 자외선 조사에 의해 상기 금속산화물 박막 표면에 금속-OH 복합체층이 형성되는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 박막의 전기 전도도 향상 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속산화물 박막은 ZnO, Ga2O3, In2O3, SnO2, IZO(Indium Zinc Oxide), SIZO(Silicon Indium Zinc Oxide), HIZO(Hafnium Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Galium Zinc Oxide) 및 ZTO(Zinc Tin Oxide)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 박막인 것을 특징으로 하는, 금속산화물 박막의 전기 전도도 향상 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속산화물 박막은 60nm 이상 200nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 박막의 전기 전도도 향상 방법
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 박막을 열처리하는 단계 동안 상기 금속산화물 박막의 결정화 또는 재결정화가 일어나는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 박막의 전기 전도도 향상 방법
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제4항에 있어서,상기 금속산화물 박막을 열처리하는 단계는 상기 금속산화물 박막을 300℃ 이상의 온도에서 제1 시간동안 유지한 후 상온까지 서냉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 박막의 전기 전도도 향상 방법
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제1항에 있어서, 상기 자외선 조사에 의해 상기 물 분자의 광분해에 의해 생성된 수소 원자 라디칼이 상기 금속산화물 박막에 도핑되어, 상기 금속산화물 박막 표면에 상기 금속-OH 복합체층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 박막의 전기 전도도 향상 방법
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제6항에 있어서,상기 자외선은 120분 이상 240분 이하의 시간동안 상기 금속산화물 박막에 조사되는 것을 특징으로 하는, 금속산화물 박막의 전기 전도도 향상 방법
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제6항에 있어서,상기 금속-OH 복합체층은 5nm 이상 40nm 이하의 두께로 형성되고,상기 금속-OH 복합체층을 포함하는 상기 금속산화물 박막의 총 두께는 60nm 이상 200nm 이하인 것을 특징으로 하는, 금속산화물 박막의 전기 전도도 향상 방법
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게이트 전압에 의해 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 채널을 형성하는 채널층을 포함하는 박막트랜지스터에 있어서,상기 채널층은 표면에 금속-OH 복합체층이 형성된 금속산화물 박막을 포함하고,상기 금속산화물 박막은 다결정 구조를 가지고, 상기 금속-OH 복합체층은 자외선 조사에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는, 박막트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 금속-OH 복합체층은 5nm 이상 40nm 이하의 두께로 형성되고,상기 금속-OH 복합체층을 포함하는 상기 금속산화물 박막의 총 두께는 60nm 이상 200nm 이하인 것을 특징으로 하는, 박막트랜지스터
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