맞춤기술찾기

이전대상기술

초박형 실리콘-금속 이종 접합 기판 제조 방법(FABRICATION METHOD OF ULTRATHIN SILICON-METAL SUBSTRATE)

  • 기술번호 : KST2017006648
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 컬(curl)이 발생하지 않는 초박형 실리콘-금속 이종 접합 기판 제조 방법은 아래와 같은 단계를 포함하여 이루어진다. 실리콘 모재를 준비하는 단계; 상기 실리콘 모재 위에 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 위에 스트레스층을 형성하는 단계; 상기 스트레스층에 잔류하는 증착 응력에 의해 상기 스트레스층, 상기 시드층 및 실리콘 박막이 상기 실리콘 모재로부터 박리되는 단계; 상기 스트레스층을 에칭하여 상기 실리콘 박막과 시드층을 남기는 단계. 본 발명에 따르면, 컬이 없는 실리콘-금속 이종 접합 기판을 얻을 수 있다. 또 소자 제작 시 별도의 금속 전극 형성 공정이 필요 없어, 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/0352 (2017.01.06) H01L 27/16 (2017.01.06) H01L 31/072 (2017.01.06) H01L 21/18 (2017.01.06) H01L 31/18 (2017.01.06) H01L 31/0392 (2017.01.06)
CPC
출원번호/일자 1020170000302 (2017.01.02)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0037579 (2017.04.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150135486   |   2015.09.24
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2015-0172232 (2015.12.04)
관련 출원번호 1020150172232
심사청구여부/일자 Y (2017.01.02)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유봉영 대한민국 경기 성남시 분당구
2 양창열 대한민국 경기 안산시 상록구
3 전재호 대한민국 경기도 남양주시 해밀예당*로***

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송해모 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2 허일구 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0003144-71
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0022621-85
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-0107290-34
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0107284-60
5 등록결정서
Decision to grant
2017.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0404848-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 모재를 준비하는 단계; 상기 실리콘 모재 위에 시드층을 형성하는 단계;상기 시드층 위에 스트레스층을 형성하는 단계; 상기 스트레스층에 잔류하는 증착 응력에 의해 상기 스트레스층, 상기 시드층 및 실리콘 박막이 상기 실리콘 모재로부터 박리되는 단계;상기 스트레스층을 에칭하여 상기 실리콘 박막과 시드층을 남김으로써 실리콘-금속 이종접합 기판을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 시드층 형성 단계, 상기 스트레스층 형성 단계, 및 상기 에칭 단계가 습식으로 이루어지며, 상기 시드층은 비정질이고 상기 스트레스층은 결정질로 이루어지며, 상기 시드층과 스트레스층의 에칭 속도가 서로 다른 것을 특징으로 하는 실리콘-금속 이종 접합 기판 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 시드층이 Ni 또는 Ni 합금인 것을 특징으로 하는 실리콘-금속 이종 접합 기판 제조 방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 스트레스층이 Ni인 것을 특징으로 하는 실리콘-금속 이종 접합 기판 제조 방법
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 시드층이 Ni-B 합금인 것을 특징으로 하는 실리콘-금속 이종 접합 기판 제조 방법
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 시드층이 무전해도금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘-금속 이종 접합 기판 제조 방법
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 스트레스층이 전해도금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘-금속 이종 접합 기판 제조 방법
10 10
청구항 8에 있어서, 상기 무전해도금을 위한 도금액에 B의 공급원으로서 DMAB가 포함되는 것을 특징으로 하는 실리콘-금속 이종 접합 기판 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101696431 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101696431 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산학협력단 한양대학교 산학협력단 대학연구활동지원 / R&D운영지원 / 중대형과제운영지원사업 [운영지원]변환 효율 20%달성을 위한 두께 20㎛급 플라즈모닉 초박형 실리콘-금속 이종접합 태양전지 개발