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두께 3 내지 6nm, 및 비표면적 150 m2/g 이상인 것이고,그래핀은 구형화된 흑연 입자를 원료로 하여 제조되고, 상기 구형화된 흑연 입자는 긴 지름에 대한 짧은 지름의 비율이 0
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제 1항에서, 상기 그래핀은 평균 입경이 5 내지 50μm인 것인 그래핀
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제 1항에서, 상기 구형화된 흑연 입자는 평균 입경이 10 내지 100μm인 것인 그래핀
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구형화된 흑연 입자를 준비하는 단계;상기 구형화된 흑연 입자를 산처리하여 흑연 층간 화합물을 제조하는 단계;상기 흑연 층간 화합물의 산을 제거한 후 건조하는 단계;상기 산이 제거되고, 건조된 흑연 층간 화합물을 팽창시켜 팽창 흑연 중간 물질을 제조하는 단계; 및상기 팽창 흑연 중간 물질을 박리하여 그래핀을 수득하는 단계;를 포함하고,상기 구형화된 흑연 입자를 준비하는 단계;의상기 구형화된 흑연 입자는 긴 지름에 대한 짧은 지름의 비율이 0
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제 6항에서,상기 구형화된 흑연 입자를 준비하는 단계;의상기 구형화된 흑연 입자는 2μm 이하 크기의 기공이 가지며, 기공부피가 0
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제 6항에서, 상기 구형화된 흑연 입자를 준비하는 단계;의상기 구형화된 흑연 입자는 평균 입경이 10 내지 100μm인 것인 그래핀 제조 방법
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제 6항에서, 상기 구형화된 흑연 입자를 산처리하여 흑연 층간 화합물을 제조하는 단계;의 상기 산은 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 브롬산(HBrO3), 염산(HCl), 염소산(HClO3), 과염소산(HClO4), 요오드산(HIO3), 과요오드산(HIO4), 인산(H3PO4), 플루오르안티몬산(HSbF6), 플루오로술폰산(FSO3H) 또는 이들의 조합인 것인 그래핀 제조 방법
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제 6항에서, 상기 산이 제거되고, 건조된 흑연 층간 화합물을 팽창시켜 팽창 흑연 중간 물질을 제조하는 단계;는, 상기 산이 제거되고, 건조된 흑연 층간 화합물을 공기 또는 불활성 가스 분위기의 가열 장치에서 열처리하는 방법을 이용하는 것인 그래핀 제조 방법
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제 11항에서, 상기 불활성 가스는 질소, 아르곤, 헬륨, 네온, 또는 이들의 조합인 것인 그래핀 제조 방법
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제 11항에서, 상기 열처리는 700 내지 1000℃에서 수행되는 것인 그래핀 제조 방법
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제 11항에서, 상기 열처리는 30 내지 120분 동안 수행되는 것인 그래핀 제조 방법
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제 6항에서, 상기 팽창 흑연 중간 물질을 박리하여 그래핀을 수득하는 단계;는, 상기 팽창 흑연 중간 물질을 용매에 투입하여 희석하는 단계; 및 상기 희석된 팽창 흑연 중간 물질을 분산 장치를 이용하여 분산 및 박리하는 단계;를 포함하는 것인 그래핀 제조 방법
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제 15항에서, 상기 분산 및 박리하는 단계;의상기 분산 장치는 초음파 분산 장치인 것인 그래핀 제조 방법
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제 16항에서,상기 초음파 분산 장치의 출력은 500 내지 1400W인 것인 그래핀 제조 방법
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제 15항에서,상기 분산 및 박리하는 단계;는 30분 내지 5시간 수행되는 것인 그래핀 제조 방법
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제 6항에서, 상기 팽창 흑연 중간 물질을 박리하여 그래핀을 수득하는 단계;이후에, 상기 박리된 그래핀을 건조하는 단계;를 더 포함하는 것인 그래핀 제조 방법
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제 19항에서, 상기 박리된 그래핀을 건조하는 단계;는 70 내지 120℃에서 수행되는 것인 그래핀 제조 방법
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제 6항에서, 제조된 그래핀은 두께 3 내지 6nm, 비표면적 150 m2/g 이상인 것인 그래핀 제조 방법
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