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기판 상의 후면전극을 암모니아(NH3) 가스를 공급한 상태에서 표면 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는, 후면전극의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 450~550mTorr 압력에서 100~200W의 플라즈마 파워로 250~350℃의 온도로 10분~90분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,상기 후면전극은 플라즈마 처리에 의해 표면이 나이트라이드(nitride)화 되어 셀레늄(Se) 확산을 억제할 수 있고 계면 개선 효과를 갖는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항의 방법으로 플라즈마 표면 처리된 태양전지 후면전극
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기판, 후면전극, 광흡수층, 버퍼층, 전면전극 및 그리드전극을 포함하는 박막 태양전지로서, 상기 후면전극은 암모니아(NH3) 가스를 공급한 상태에서 후면전극의 표면을 플라즈마 처리한 것을 특징으로 하는 CZTS계 박막 태양전지
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(1) 기판 상에 후면전극을 형성하고 후면전극의 표면을 암모니아(NH3) 가스를 공급한 상태에서 플라즈마 처리하는 단계;(2) 후면전극 상에 금속전구체를 증착시켜 금속전구체층을 형성하는 단계; 및(3) 상기 기판 및 후면전극 상의 금속전구체 층을 셀렌화 및 황화-셀렌화하여 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는,플라즈마 표면 처리된 후면전극을 이용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법
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제6항에 있어서,상기 (1) 단계의 플라즈마 처리는 450~550mTorr 압력에서 100~200W의 플라즈마 파워로 250~350℃의 온도로 10분~90분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 표면 처리된 후면전극을 이용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법
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제6항에 있어서,상기 (2) 단계의 금속전구체는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 플라즈마 표면 처리된 후면전극을 이용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 전면 전극층 상에 그리드전극을 형성하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 표면 처리된 후면전극을 이용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법
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