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(a) 기판 위에 후면 전극층을 형성하는 단계;(b) 상기 후면 전극층 위에 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 황(S); 또는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 금속 전구체를 증착시켜 금속전구체층을 형성하는 단계;(c) 상기 금속 전구체층 위에 인듐을 주입하여 인듐 주입층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 (c) 단계가 완료 후, 불활성기체 분위기 하에서 고온 열처리하는 단계를 포함하고,상기 (c) 단계에서 금속 전구체층 위에 주입하는 인듐(Indium)의 주입량은 인듐 주입층이 10nm 초과 ~20nm 이하의 두께를 갖도록 주입하고,열처리가 완료된 인듐이 첨가된 CZTS계 흡수층 박막의 조성비는 [Cu]/[Zn]+[Sn]가 0
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 기판은 유리 기판인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계의 후면 전극은 몰리브덴 전극인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 금속 전구체 증착은 스퍼터링 공정, 동시증발증착 공정 또는 용액 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 인듐 주입에 의한 인듐 증착은 진공증착법 또는 비진공증착법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 불활성 기체는 아르곤 기체이며,상기 고온 열처리는 400℃ 내지 600℃ 에서 셀렌화처리하거나, 상기 금속 전구체층을 400℃ 내지 600℃ 에서 황화처리하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항의 방법에 의해 제조된 10nm 초과 ~20nm 이하의 인듐 주입층을 포함하는 CZTS계 박막 태양전지
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(a) 기판 위에 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 황(S); 또는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 금속 전구체를 증착시켜 금속 전구체층을 형성하는 단계;(b) 상기 금속 전구체층 위에 인듐을 주입하여 인듐 주입층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계가 완료 후, 불활성기체 분위기 하에서 400℃ 내지 600℃에서 400~600초간 열처리 하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계에서 금속 전구체층 위에 주입하는 인듐(Indium)의 주입량은 인듐 주입층이 10nm 초과 ~20nm 이하의 두께를 갖도록 주입하고,인듐이 첨가된 CZTS계 흡수층 박막의 조성비는 [Cu]/[Zn]+[Sn]가 0
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제10항에 있어서,상기 (a) 단계의 금속 전구체 증착은 스퍼터링 공정, 동시증발증착 공정 또는 용액 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 인듐이 첨가된 태양전지용 CZTS계 흡수층 박막 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 인듐 주입에 의한 인듐 증착은 진공증착법 또는 비진공증착법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 인듐이 첨가된 태양전지용 CZTS계 흡수층 박막 제조방법
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