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산화막 버퍼층을 포함하는 CZTS계 박막 태양전지 및 이의 제조방법(A solar cell comprising CZTS Thin film with a oxide buffer layer and a method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2017006695
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화막 버퍼층을 포함하는 박막 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 후면전극과 광흡수층 사이에 산화막 버퍼층을 형성함으로써 후면전극과 광흡수층 사이의 계면 제어를 통해 광전환 효율 및 전지특성이 향상된 박막 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 태양전지는 후면전극과 광흡수층 사이에 산화막 버퍼층을 형성시킴으로써 계면에 발생하는 공극(void)을 감소시켜 보다 균일하고 조밀한 박막을 가질 수 있으며, 광흡수층 전구체의 구성 원소(Cu, Zn, Sn)와 VI족 원소(Se,S)가 몰리브덴 후면전극으로 확산하는 것을 억제함으로써 광흡수층과 후면전극의 전기적 접합을 향상시켜 광전환 효율이 우수한 이점을 갖는다.
Int. CL H01L 31/0392 (2016.08.11) H01L 31/18 (2016.08.11) H01L 31/0236 (2016.08.11) H01L 31/0216 (2016.08.11) H01L 31/04 (2016.08.11)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020160099473 (2016.08.04)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0036596 (2017.04.03) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150135906   |   2015.09.24
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정식 대한민국 서울특별시 용산구
2 황대규 대한민국 대구광역시 달서구
3 김대환 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 남앤남 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0759323-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0003900-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0485852-06
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0853999-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.09.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0854000-32
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0022289-53
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0136414-13
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.02.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0136415-69
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0167607-91
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0433948-15
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0433950-18
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0656745-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막 태양전지로서,상기 태양전지는 기판, 후면전극, 아연 산화막 버퍼층, 광흡수층, 버퍼층, 윈도우층 및 전면전극이 순차적으로 형성되어 있으며,상기 태양전지는 후면전극과 광흡수층 사이에 아연 산화막(ZnO) 버퍼층을 포함하고,상기 아연 산화막 버퍼층의 두께는 2 내지 10nm이며,상기 아연 산화막 버퍼층은 광흡수층과 후면전극 사이의 계면 제어를 통해 전기적특성을 향상시키는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 후면전극은 몰리브덴(Mo) 전극인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 광흡수층은 CIS(Copper, Indium, Sulfur 또는 Selenide), CIGS(Copper, Indium, Galium, Sulfur 또는 Selenide) 또는 CZTS(Copper, Zinc, Tin, Sulfur 또는 Selenid) 중 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
7 7
a) 기판 상에 후면전극을 형성하는 단계;b) 상기 후면전극 상에 2 내지 10nm 두께의 아연 산화막(ZnO) 버퍼층을 형성하는 단계;c) 상기 아연 산화막 버퍼층 상에 광흡수층을 형성하는 단계;d) 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;e) 상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 및f) 상기 윈도우층 상에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 산화막 버퍼층은 광흡수층과 후면전극 사이의 계면 제어를 통해 전기적 특성을 향상시키는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지의 제조방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서,상기 c) 단계의 광흡수층은 CIS(Copper, Indium, Sulfur 또는 Selenide), CIGS(Copper, Indium, Galium, Sulfur 또는 Selenide) 또는 CZTS(Copper, Zinc, Tin, Sulfur 또는 Selenid) 중 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
11 11
제7항에 있어서,상기 d) 단계의 버퍼층은 CdS, ZnS, Zn(O,S), CdZnS 및 ZnSe로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
12 12
제7항에 있어서,상기 e) 단계의 윈도우층은 ZnO:Al, ZnO:AZO, ZnO:B(BZO) 및 ZnO:Ga(GZO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 대구경북과학기술원 신재생에너지기술개발사업 (3차) 초저가 금속원소를 이용한 고효율(14.5%) CZTS 화합물 박막 태양전지 개발
2 미래창조과학부 대구경북과학기술원 일반사업 차세대 융복합기술 개발