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a) 기판 상에 후면전극을 형성하는 단계;b) 상기 후면전극 상에 황화아연 버퍼층을 형성하는 단계; 및c) 상기 황화아연 버퍼층 상에 금속 전구체층을 형성하고 VI족 원소 함유 기체 분위기 하에서 열처리 공정을 거쳐 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는, 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 a) 단계의 황화아연은 일황화아연(ZnS) 또는 이황화아연(ZnS2)인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 a) 단계의 황화아연 버퍼층은 두께가 10nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 a) 단계의 황화아연 버퍼층은 스퍼터링법(sputtering), 증발법(evaporation), CVD법(Chemical vapor deposition), 유기금속화학기상증착(MOCVD), 근접승화법(Close-spaced sublimation, CSS), 스프레이 피롤리시스(Spray pyrolysis), 화학 스프레이법(Chemical spraying), 스크린프린팅법(Screeen printing), 비진공 액상성막법, CBD법(Chemical bath deposition), VTD법(Vapor transport deposition), 및 전착법(electrodeposition) 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 c) 단계의 광흡수층은 GIS(Copper, Indium, Sulfur 또는 Selenide), GIGS(Copper, Indium, Galium, Sulfur 또는 Selenide) 또는 CZTS(Copper, Zinc, Tin, Sulfur 또는 Selenid) 중 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에서 있어서,상기 c) 단계의 열처리 공정은 기판 온도를 450~600℃까지 상승시킨 후 10 ~ 60분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제조방법은 추가적으로 d) 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 및 f) 상기 윈도우층 상에 전면전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 d) 단계의 버퍼층은 CdS, ZnS, ZnO, Zn(O,S), CdZnS 및 ZnSe로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 e) 단계의 윈도우층은 ZnO:Al, ZnO:AZO, ZnO:B(BZO) 및 ZnO:Ga(GZO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제조방법은 b) 단계를 통해 태양전지의 후면전극과 광흡수층 계면의 공극(void) 생성을 억제하고 접착성을 향상시켜 조밀한 박막이 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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