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발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드(Method for manufacturing light emitting diode and light emitting diode using the same)

  • 기술번호 : KST2017006764
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반사층의 반사도를 향상시킬 수 있는 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드에 관한 것이다.본 발명의 일실시예에 따른 발광다이오드 제조방법은 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조를 형성하는 단계; 상기 반도체 적층구조 상에 반사층을 증착하는 단계; 상기 반사층에 전자빔을 조사하는 단계; 및 상기 반사층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 33/46 (2015.11.13) H01L 33/44 (2015.11.13)
CPC H01L 33/46(2013.01) H01L 33/46(2013.01)
출원번호/일자 1020150137934 (2015.09.30)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0038495 (2017.04.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***
2 오승규 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***
3 이유림 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0947599-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0118871-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0705776-94
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1177045-28
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1177044-83
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0284324-07
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.05.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0474137-75
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0474136-29
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0376512-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조를 형성하는 단계;패턴된 포토 레지스트가 형성된 상기 반도체 적층구조 상에 상온 내지 150 ℃에서 은(Ag)을 포함하는 소수성의 반사층을 증착하는 단계;리프트 오프(lift-off) 공정으로 상기 패턴된 포토 레지스트를 제거하여 소수성의 상기 반사층을 패터닝하는 단계;소수성의 상기 반사층이 친수성으로 변화되도록 소수성의 상기 반사층에 전자빔을 조사하는 단계; 및200 내지 400 ℃의 온도에서 친수성의 상기 반사층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 패시베이션층을 형성하는 단계 이후에, 친수성의 상기 반사층은 450 ㎚ 파장에서 90 % 이상의 반사도를 갖는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 반사층 상에 배리어 메탈을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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8 8
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9 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 순천대학교 대학중점연구소지원사업 차세대IT-융합소재 연구소
2 산업통상자원부 순천대학교 지역혁신센터(RIC)사업 차세대 전략산업용 희유자원 실용화 센터 사업
3 산업통상자원부 ㈜서울반도체 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업 (LED/광) 기후 환경 변화 대응 운전자 시인성 향상을 위한 색온도 변환 스마트 LED 전조등 제품화/표준화 기술 개발