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이이피롬의 센싱회로 및 데이터버스 회로(SENSING CIRCUIT AND DATABUS CIRCUIT FOR EEPROM)

  • 기술번호 : KST2017006785
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MCU용 이이피롬(EEPROM)에 적용되는 센스앰프 및 데이터 버스의 성능을 향상시키는 기술에 관한 것이다. 이를 위해 차동증폭기를 이용하여 데이터 센싱속도를 향상시키고, 분산된 데이터버스 구조를 적용하여 데이터버스의 스위칭 속도를 향상시키며, 리드 데이터 스위치 회로에서 비트라인 스위칭 속도를 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
Int. CL G11C 16/26 (2015.11.14) G11C 16/28 (2015.11.14) G11C 7/06 (2015.11.14) G11C 16/06 (2015.11.14)
CPC G11C 16/28(2013.01) G11C 16/28(2013.01)
출원번호/일자 1020150137362 (2015.09.30)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0038258 (2017.04.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고윤호 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)
2 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0943107-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0011433-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0512818-42
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0900463-36
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0997679-31
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0997678-96
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0100237-63
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0341563-26
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0341566-63
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0606180-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이이피롬 셀의 읽기 모드에서 데이터버스를 전원전압으로 프리차지시키는 제1 풀업 트랜지스터부;상기 이이피롬 셀로부터 프로그램된 데이터를 읽어낼 때 발생하는 데이터버스의 리퀴지(Leakage) 현상에 의한 전압 강하를 방지하기 위한 제2 풀업 트랜지스터부; 및상기 이이피롬 셀에 연결된 데이터버스의 전압과 기준전압의 차전압을 차동증폭하여 출력하는 차동센스 앰프부를 포함하는 것을 특징으로 하는 이이피롬의 센싱 회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 풀업 트랜지스터부는프리차지전압을 반전시켜 출력하는 제1인버터; 및양측 단자가 전원전압과 데이터 버스에 각기 연결되고 게이트가 상기 제1인버터의 출력단자에 연결된 제1 피모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이이피롬의 센싱 회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 풀업 트랜지스터부는양측 단자가 상기 전원전압과 데이터 버스에 각기 연결된 제2 피모스 트랜지스터; 및접지단자와 상기 제2 피모스 트랜지스터의 사이에 연결된 제1저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 이이피롬의 센싱 회로
4 4
제1항에 있어서, 상기 차동센스 앰프부는상기 데이터버스의 전압과 상기 기준전압의 차전압을 차동증폭하는 D형 플립플롭 타입의 차동센스앰프; 및상기 차동센스앰프의 출력전압을 래치하는 래치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 이이피롬의 센싱 회로
5 5
제4항에 있어서, 상기 차동센스 앰프는 상기 전원전압과 세트노드 사이에 병렬 연결된 게이트에 센스앰프인에이블신호가 인가되는 제3 피모스 트랜지스터 및 게이트가 리세트노드에 연결된 제4 피모스 트랜지스터;상기 전원전압과 상기 리세트노드의 사이에 병렬 연결된 게이트가 상기 세트노드에 연결된 제5 피모스 트랜지스터 및 게이트에 상기 센스앰프인에이블신호가 인가되는 제6 피모스 트랜지스터;일측 단자가 상기 세트노드에 연결되고 게이트가 상기 리세트노드에 연결된 제1 엔모스 트랜지스터;일측 단자가 상기 리세트노드에 연결되고 게이트가 상기 세트노드에 연결된 제2 엔모스 트랜지스터;일측 단자가 상기 제1 엔모스 트랜지스터의 타측 단자에 연결되고, 게이트가 상기 데이터버스에 연결된 제3 엔모스 트랜지스터;일측 단자가 상기 제2 엔모스 트랜지스터의 타측 단자에 연결되고, 게이트가 상기 기준전압에 연결된 제4 엔모스 트랜지스터;센스앰프인에이블반전신호를 반전출력하는 제2 인버터; 및 일측 단자가 상기 제3 엔모스 트랜지스터 및 제4 엔모스 트랜지스터의 타측 단자에 공통으로 연결되고, 타측 단자가 접지단자에 연결되며, 게이트가 상기 제2 인버터의 출력단자에 연결된 제5 엔모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이이피롬의 센싱 회로
6 6
제4항에 있어서, 상기 래치부는 일측 단자가 세트노드와 리세트노드에 각기 연결되고 타측 단자가 상대 낸드게이트의 출력단자에 각기 연결되어 래치를 구성하는 제1 낸드게이트 및 제2 낸드게이트; 및 상기 제1 낸드게이트 및 제2 낸드게이트의 출력신호를 각기 반전시켜 출력하는 제3 인버터 및 제4 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이이피롬의 센싱 회로
7 7
이이피롬 셀 어레이;상기 이이피롬 셀 어레이에 대하여 8개로 분할된 차동센스앰프를 구비하는 차동센스앰프부; 상기 이이피롬 셀 어레이의 8개로 분할된 복수 개의 비트라인과 상기 차동센스앰프부의 8개로 분할된 복수 개의 데이터버스를 각기 연결하는 스위치부; 및상기 차동센스앰프부와 데이터출력단자의 사이에 8개로 분할된 출력버퍼를 구비하는 출력버퍼부를 포함하는 것을 특징으로 하는 이이피롬의 데이터베이스 회로
8 8
제7항에 있어서, 상기 스위치부는제어신호에 따른 스위칭 제어신호를 출력하는 비트라인 스위칭 제어부; 및상기 스위칭 제어신호에 따라 내부의 스위치 동작을 제어하여 비트라인을 데이터버스에 연결하는 비트라인 스위치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 이이피롬의 데이터베이스 회로
9 9
제8항에 있어서, 상기 스위치는 상기 비트라인과 상기 데이터 버스의 사이에 양측 단자가 연결된 하나의 모스 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 이이피롬의 데이터베이스 회로
10 10
제7항에 있어서, 상기 데이터버스 회로는인에이블신호에 따라 상기 스위치의 스위칭 동작을 제어하여 센스라인을 접지단자에 연결하는 센스라인 스위치부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이이피롬의 데이터베이스 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.