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제1 기판; 상기 제1 기판 상에 적층 성장한 에피층; 상기 에피층 상에 본딩 메탈(bonding metal)층을 통해 적층된 제2 기판; 및 n형 스루홀(through hole) 형태의 전극으로, 상기 제1 기판, 상기 에피층 및 상기 제2 기판을 뒤집어 상기 제2 기판이 아래에 있도록 배치한 후, 상기 제2기판 바닥에서부터 수직으로 관통하여 도전성 재료를 연결하여 생성되는 스루홀 전극;을 포함하며, 상기 제1 기판은 상기 스루홀 전극 생성 후 제거하는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조의 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 에피층은, n-GaN 층, 활성층(active layer) 및 p-GaN 층이 순차적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조의 발광 소자
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제 2항에 있어서, 상기 제1 기판 제거 후 상기 에피층의 n-GaN 층을 박막화(thinning)하는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조의 발광 소자
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제 3항에 있어서, 상기 n-GaN 층의 상부 표면에 요철 구조를 생성하는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조의 발광 소자
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제 4항에 있어서, 상기 n-GaN 층 상부 표면에 산화물 또는 질화물 패시베이션(passivation)을 하는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조의 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 제1 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 플립칩 구조의 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 제1 기판과 상기 에피층 사이에 버퍼층이 위치하는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조의 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 제2 기판을 150 마이크론의 두께로 그라인딩하고, 상기 제2 기판으로부터 구멍(hole)을 형성하여 스루홀 전극을 생성하는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조의 발광 소자
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제 8항에 있어서,상기 형성된 구멍(hole) 내부의 벽면에 SiO2와 금속(metal)을 순차적으로 증착하여 스루홀 전극을 생성하는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조의 발광 소자
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제 6항에 있어서, 상기 사파이어 기판은 그라인딩(grinding) 또는 리프트오프(lift-off)를 통해 제거하는 것을 특징으로 하는 플립칩 구조의 발광 소자
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(a) 사파이어 기판 상에 버퍼층을 배치하고, 상기 버퍼층 상에 에피층을 적층 성장하는 단계; (b) 상기 에피층 상에 본딩 메탈(bonding metal)층을 통해 전도성 기판을 적층하는 단계;(c) n형 스루홀(through hole) 형태의 전극으로, 상기 사파이어 기판, 상기 에피층 및 상기 전도성 기판을 뒤집어 상기 전도성 기판이 아래에 있도록 배치한 후, 상기 전도성 기판 바닥에서부터 수직으로 관통하여 도전성 재료를 연결하여 스루홀 전극을 생성하는 단계; 및 (d) 상기 사파이어 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 (a) 단계의 에피층은, n-GaN 층, 활성층(active layer) 및 p-GaN 층이 순차적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 12항에 있어서, (e) 상기 사파이어 기판을 제거한 후 흡수층인 버퍼층을 제거하고 상기 에피층의 n-GaN 층을 박막화(thinning)하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 13항에 있어서, (f) 상기 n-GaN 층의 상부 표면에 요철 구조를 생성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 14항에 있어서,(g) 상기 n-GaN 층 상부 표면에 산화물 또는 질화물 패시베이션(passivation) 하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 전도성 기판을 150 마이크론의 두께로 그라인딩하고, 상기 전도성 기판으로부터 구멍(hole)을 형성하여 스루홀 전극을 생성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 16항에 있어서, 상기 형성된 구멍(hole) 내부의 벽면에 SiO2와 금속(metal)을 순차적으로 증착하여 스루홀 전극을 생성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 사파이어 기판은 그라인딩(grinding) 또는 리프트오프(lift-off)를 통해 제거하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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