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화학적 에칭을 이용한 초전도선재 가공방법에 있어서,금속층-완충층-초전도층을 포함하는 판상의 초전도박막을 준비하는 단계와;상기 초전도박막의 표면에 길이방향을 따라 틈을 두고 이격되도록 복수의 마스킹 테이프를 부착하는 단계와;상기 마스킹 테이프가 배치되지 않은 상기 초전도박막의 틈에 에칭용매를 함침시켜 상기 초전도박막을 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 에칭을 이용한 초전도선재 가공방법
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제 1항에 있어서,상기 초전도박막을 절단하는 단계에서,상기 에칭 용매는 용매조에 배치되며, 롤투롤 설비를 통해 상기 용매조 내로 상기 초전도박막을 침지시켜 상기 초전도박막의 틈이 에칭되는 것을 특징으로 하는 화학적 에칭을 이용한 초전도선재 가공방법
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제 2항에 있어서,상기 초전도박막을 절단하는 단계는,롤투롤 설비를 통해 상기 초전도박막을 상기 1차용매조에 침지하여 상기 금속층 또는 상기 초전도층 중 어느 하나를 에칭하는 단계와;상기 금속층이 에칭된 상기 초전도박막을 상기 2차용매조에 침지하여 상기 금속층 또는 상기 초전도층 중 나머지 하나를 에칭하는 단계를 포함하며,상기 1차용매조 및 상기 2차용매조는 서로 상이한 종류의 1차에칭용매 및 2차에칭용매가 저장되는 것을 특징으로 하는 화학적 에칭을 이용한 초전도선재 가공방법
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제 3항에 있어서,상기 초전도박막을 상기 1차용매조에 침지하여 상기 금속층 또는 상기 초전도층 중 어느 하나를 에칭하는 단계 이후에,상기 초전도박막의 표면에 존재하는 상기 1차에칭용매를 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 에칭을 이용한 초전도선재 가공방법
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제 3항에 있어서,상기 1차용매조 및 상기 2차용매조에서 상기 초전도 박막은 각각 1 내지 60초 동안 에칭되는 것을 특징으로 하는 화학적 에칭을 이용한 초전도선재 가공방법
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제 1항에 있어서,상기 에칭용매는,묽은 질산(nitric acid), 묽은 황산(sulfuric acid), 묽은 염산(hydrochloric acid), 묽은 인산(phosphoric acid), 과산화수소(hydrogen peroxide), 암모니아(ammonia) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화학적 에칭을 이용한 초전도선재 가공방법
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제 1항에 있어서,상기 마스킹 테이프의 폭은 상기 초전도박막 높이에 대해 10 내지 50배로 이루어지며, 초전도선재의 종횡비는 1 : 10 내지 50으로 가공되는 것을 특징으로 하는 화학적 에칭을 이용한 초전도선재 가공방법
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제 1항에 있어서,상기 마스킹 테이프 배치 간격은 상기 마스킹 테이프의 폭에 대해 1/10 내지 1/50배의 폭 만큼 이격 배치되는 것을 특징으로 하는 화학적 에칭을 이용한 초전도선재 가공방법
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제 1항에 있어서,상기 마스킹 테이프는, 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리비닐클로라이드(PVC, polyvinylchloride), (PET, polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌(PE,polyethylene), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리올레핀(polyolfin) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 화학적 에칭을 이용한 초전도선재 가공방법
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