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양면 투명전극을 활용한 높은 내구성을 가지는 유-무기 하이브리드 태양전지 및 이의 제조 방법(High stability of organic-inorganic hybrid photovoltaic cell Using double layer transparent electrode and method for manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2017006934
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명전극이 상부 전극과 하부 전극을 양면으로 사용되는 하이브리드 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 기판, 제 1 투명전극층, 전자 전달층, 광활성화층, 정공 전달층 및 제 2 투명전극층을 포함하며, 상기 전자 전달층 하부에 제 1 투명전극층이 적층되고, 상기 정공 전달층 상에는 제 2 투명전극층이 구비되어 가장 상부에 투명전극층이 형성된 유-무기 하이브리드 태양전지에 관한 것으로, 이러한 상부에 투명전극을 활용하면 장시간의 수분 노출에도 태양전지의 안전성이 유지되고 저렴한 태양전지를 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 51/42 (2015.11.10) H01L 51/44 (2015.11.10) H01L 31/0256 (2015.11.10) C08G 61/00 (2015.11.10) C08L 67/03 (2015.11.10) C08L 81/06 (2015.11.10) C08L 25/06 (2015.11.10) C08L 79/08 (2015.11.10)
CPC H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/4213(2013.01)
출원번호/일자 1020150140032 (2015.10.05)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0040708 (2017.04.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.05)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동석 대한민국 대전광역시 서구
2 김가현 대한민국 울산광역시 울주군
3 조임현 대한민국 울산광역시 울주군
4 오경석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-0964400-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0031578-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0141235-77
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0398937-12
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0398938-68
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0590146-10
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0933634-44
10 보정요구서
Request for Amendment
2017.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0141373-16
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2017.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0998076-23
12 법정기간연장승인서
2017.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0148495-85
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.10.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1042788-35
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1042787-90
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0774047-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판(1);상기 기판(1) 상에 형성되는 제 1 투명전극층(2);상기 제 1 투명전극층(2) 상에 형성되며 다공성 치밀막 전자 전달층(3); 상기 전자 전달층(3) 상에 형성되는 광활성화층(4);상기 광활성화층(4) 상에 적층되는 정공 전달층(5); 및상기 정공 전달 물질층(5) 상에 형성되며, 제 1 투명전극층(2)에 대향하는 제 2 투명전극층(6);을 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판(1)은 PET(polyethylene terephthalate), PES(polyethersulfone), PS(polystyrene), PC(polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate) 및 PAR(polyarylate) 중에서 선택되는 어느 하나의 광투과성 플라스틱, 실리콘, 유리, 투명전극 또는 구리 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 투명전극층(2)은 산화주석(Tin oxide, SnO2), 인듐 함유 산화 주석(indium tin oxide, ITO), 불소 함유 산화주석(fluorine-doped tin oxide, FTO), 산화 인듐 아연(Indium Zinc Oxide, IZO), 알루미늄 함유 산화아연(Al-doped Zinc Oxide, AZO) 및 산화 인듐 아연 주석(Indium Zinc Tin Oxide, IZTO) 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 단일물질이거나 구리(Cu)를 이용한 다중층 구조(multi layer structure)를 사용하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전자 전달층(3)은 금속산화물을 포함하는 열린 기공 구조를 가지며, 상기 기공에 무기물 반도체가 위치하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 금속산화물은 Ti산화물, Zn산화물, In산화물, Sn산화물, W산화물, Nb산화물, Mo산화물, Mg산화물, Ba 산화물, Zr산화물, Sr산화물, Yr산화물, La산화물, V산화물, Al산화물, Y산화물, Sc산화물, Sm산화물, Ga산화물 및 SrTi산화물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 광활성화층(4)은 무기물 반도체와 유기물 반도체가 혼합된 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 정공 전달층(5)은 공액 고분자(conjugated polymer) 유기물 반도체로 P3HT(poly[3-hexylthiophene]), MDMO-PPV(poly[2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxyl)]-1,4-phenylene vinylene), MEH-PPV(poly[2-methoxy -5-(2''-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]), P3OT(poly(3-octyl thiophene)), POT(poly(octyl thiophene)), P3DT(poly(3-decyl thiophene)), P3DDT(poly(3-dodecyl thiophene), PPV(poly(p-phenylene vinylene)), TFB(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenyl amine), Polyaniline, Spiro-MeOTAD([2,22',7,77'-tetrkis(N,N-di-pmethoxyphenylamine)-9,9,9'-spirobi fluorine]), CuSCN, CuI, PCPDTBT(Poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl]], Si-PCPDTBT(poly[(4,4'-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2',3'-d]silole)-2,6-diyl-alt-(2,1,3-benzothiadiazole)-4,7-diyl]), PBDTTPD(poly((4,8-diethylhexyloxyl)benzo([1,2-b:4,5-b']dithiophene)-2,6-diyl)-alt-((5-octylthieno[3,4-c]pyrrole-4,6-dione)-1,3-diyl)), PFDTBT(poly[2,7-(9-(2-ethylhexyl)-9-hexyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)]), PFO-DBT(poly[2,7-
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 투명전극층(6)은 인듐 함유 산화 주석(indium tin oxide, ITO), 불소 함유 산화주석(fluorine tin oxide, FTO), 산화 인듐 아연(Indium Zinc Oxide, IZO), 알루미늄 함유 산화아연(Al-doped Zinc Oxide, AZO), 산화 인듐 아연 주석(Indium Zinc Tin Oxide, IZTO), 몰리브덴(Mo), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3, 주석계 산화물 및 산화아연(Zinc Oxide) 중에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지
9 9
기판(1)을 준비하는 단계;기판(1) 상에 제 1 투명전극층(2)을 형성하는 단계;상기 제 1 투명전극층(2) 상에 전자 전달층(3)을 형성하는 단계;상기 전자 전달층(3) 상에 광활성화층(4)을 형성하는 단계;상기 광활성화층(4) 상에 정공 전달층(5)을 형성하는 단계; 및상기 정공 전달층(5) 상에 제 2 투명전극층(6)을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 기판(1)은 PET(polyethylene terephthalate), PES(polyethersulfone), PS(polystyrene), PC(polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate) 및 PAR(polyarylate) 중에서 선택되는 어느 하나의 광투과성 플라스틱, 실리콘, 유리, 투명전극 또는 구리 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지의 제조 방법
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 투명전극층(2)은 진공 증착법, 박막 증착법, 스퍼터링(sputtering) 및 화학적 증착 중에서 선택되는 어느 하나 이상에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지의 제조 방법
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 전자 전달층(3)은 물리적 증착(physical vapor deposition), 화학적 증착(chemical vapor deposition), 스핀 코팅(spin-coating), 담금법(dip-coating) 및 열증착(thermal evaporation) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지의 제조 방법
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 전자 전달층(3)은 도전성의 무기물 반도체 용액에 반도체 무기물 분말을 혼합한 혼합 용액을 제조하여, 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 스크린 프린팅(screen printing), 오프셋 프린팅(offset printing), 슬로다이 프린팅(slot die printing) 및 그라비어 프린팅(gravure printing) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 방법으로 인쇄한 후 일정 온도 이하에서 건조하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지의 제조 방법
14 14
제 9 항에 있어서, 상기 광활성화층(4)은 스핀 코팅(spin-coating), 담금법(dip-coating), 스프레이 코팅(spray coating), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 스크린 프린팅(screen printing), 오프셋 프린팅(offset printing), 슬로다이 프린팅(slot die printing) 및 그라비어 프린팅(gravure printing) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 방법으로 인쇄한 후 일정 온도 이하에서 건조하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지의 제조 방법
15 15
제 9 항에 있어서, 상기 정공 전달층(5)은 스핀 코팅(spin-coating), 담금법(dip-coating), 스프레이 코팅(spray coating), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 스크린 프린팅(screen printing), 오프셋 프린팅(offset printing), 슬로다이 프린팅(slot die printing) 및 그라비어 프린팅(gravure printing) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 방법으로 인쇄한 후 일정 온도 이하에서 건조하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지의 제조 방법
16 16
제 9 항에 있어서, 상기 제 2 투명전극층(6)은 진공 증착법, 박막 증착법, 스퍼터링(sputtering) 및 화학적 증착 중에서 선택되는 어느 하나 이상에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 태양전지의 제조 방법
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1 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 한국에너지기술연구원연구운영비지원 차원융합형 하이브리드 태양전지 원천기술