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물질의 임피던스를 측정하기 위해, 신호발생기와 상기 물질에 연결하여 신호를 인가 및 측정하기 위한 복수 개의 전극들; 상기 신호발생기로부터 신호 인가 시 기준신호를 발생하는 기준저항;상기 신호발생기로부터 신호 인가 시, 상기 기준신호에 기초하여 제1 클락신호를 생성하는 제1 비교기와, 상기 물질에서 발생되는 물질신호에 기초하여 제2 클락신호를 생성하는 제2 비교기;상기 제1 및 제2 클락 신호를 이용해서 상기 물질의 임피던스의 위상에 대응하는 위상 측정 신호를 생성하는 로직 회로;상기 제2 클락 신호를 이용하여, 상기 기준신호의 표본화를 수행하여 제1 샘플링 신호를 생성하는 제1 샘플링 회로;상기 제1 클락 신호를 이용하여, 상기 물질신호의 표본화를 수행하여 제2 샘플링 신호를 생성하는 제2 샘플링 회로;상기 제1 및 제2 샘플링 신호들과 상기 위상 측정 신호를 각각 양자화 하여 디지털 신호들로 변환하는 양자화기; 및변환된 상기 디지털 신호들을 처리하여 상기 물질의 임피던스의 크기 및 위상을 산출하는 디지털 신호 처리기를 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제1항에 있어서, 상기 기준신호를 증폭하여 그 증폭된 기준신호를, 상기 기준신호를 대신하여, 상기 제1 클락 신호의 생성 및 상기 제1 샘플링 회로의 표본화 처리에 이용되도록 제공하는 제1 증폭기; 및 상기 물질신호를 증폭하여 그 증폭된 물질신호를, 상기 물질신호를 대신하여, 상기 제2 클락 신호의 생성 및 상기 제2 샘플링 회로의 표본화 처리에 이용되도록 제공하는 제2 증폭기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 증폭기는, 전류 신호를 인가하였을 경우에 발생하는 전압 신호를 증폭할 수 있는 계측 증폭기와, 전압 신호를 인가하였을 경우에 발생하는 전류 신호를 증폭할 수 있는 트랜스 임피던스 증폭기 중 적어도 어느 한 가지를 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 증폭기는 상기 기준저항에서 발생되는 기준신호 및 상기 물질에서 발생되는 물질신호의 크기에 따라 버퍼링 또는 신호 크기 감쇄를 수행할 수 있는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제1항에 있어서, 상기 로직 회로는 XOR 회로 또는 XNOR 회로인 것을 특징으로 하는 임피던스의 크기 및 위상 측정 회로
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 샘플링 회로는, 상기 제1 및 제2 클락 신호를 이용하는 대신, 상기 위상 측정 신호와 이의 반전신호를 클락신호로서 각각 이용하여 표본화를 수행하도록 구성되며, 상기 위상 측정 신호는 상기 제1 클락신호와 상기 제2 클락신호에 대한 XOR 연산 또는 XNOR 연산을 하여 얻어지는 펄스신호인 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제1항에 있어서, 상기 신호발생기가 인가하는 신호의 주파수는 변경 가능한 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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물질의 임피던스를 측정하기 위해, 신호발생기와 상기 물질에 연결하여 신호를 인가 및 측정하기 위한 복수 개의 전극들; 상기 신호발생기로부터 신호 인가 시 기준신호를 발생하는 기준저항;상기 신호발생기로부터 신호 인가 시, 상기 기준신호에 기초하여 제1 클락신호를 생성하는 제1 비교기와, 상기 물질에서 발생되는 물질신호에 기초하여 제2 클락신호를 생성하는 제2 비교기;상기 제1 및 제2 클락 신호를 이용하여 상기 물질의 임피던스의 위상에 대응하는 위상 측정 신호를 생성하는 로직 회로;상기 기준신호와 상기 기준신호를 시간 지연시켜 얻은 지연된 기준신호 간의 차이를 증폭하는 제1 미분기; 상기 제1 미분기의 출력신호를 제1 소정 기준값과 비교하여 상기 기준신호의 첨두값 부근에서 표본화를 시킬 수 있는 제3 클락 신호를 생성하는 제3 비교기; 및 상기 제2 클락신호와 상기 제3 클락 신호 중 어느 한 가지를 선택하여 출력하는 제1 선택기;상기 물질신호와, 상기 물질신호를 시간 지연시켜 얻은 지연된 물질신호 간의 차이를 증폭하는 제2 미분기; 상기 제2 미분기의 출력신호를 제2 소정 기준값과 비교하여 상기 물질신호의 첨두값 부근에서 표본화를 시킬 수 있는 제4 클락 신호를 생성하는 제4 비교기; 및 상기 제1 클락신호와 상기 제4 클락 신호 중 어느 한 가지를 선택하여 출력하는 제2 선택기;상기 제1 선택기에서 제공하는 클락 신호를 이용하여, 상기 기준신호의 표본화를 수행하여 제1 샘플링 신호를 생성하는 제1 샘플링 회로;상기 제2 선택기에서 제공하는 클락 신호를 이용하여, 상기 물질신호의 표본화를 수행하여 제2 샘플링 신호를 생성하는 제2 샘플링 회로;상기 제1 및 제2 샘플링 신호들과 상기 위상 측정 신호를 각각 양자화 하여 디지털 신호들로 변환하는 양자화기; 및변환된 상기 디지털 신호들을 처리하여 상기 물질의 임피던스의 크기 및 위상을 산출하는 디지털 신호 처리기를 구비하는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제8항에 있어서, 상기 기준신호를 증폭하여 그 증폭된 기준신호를, 상기 기준신호를 대신하여, 상기 제1 클락 신호의 생성 및 상기 제1 샘플링 회로의 표본화 처리에 제공하는 제1 증폭기; 및 상기 물질신호를 증폭하여 그 증폭된 물질신호를, 상기 물질신호를 대신하여, 상기 제2 클락 신호의 생성 및 상기 제2 샘플링 회로의 표본화 처리에 제공하는 제2 증폭기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 증폭기는, 전류 신호를 인가하였을 경우에 발생하는 전압 신호를 증폭할 수 있는 계측 증폭기와, 전압 신호를 인가하였을 경우에 발생하는 전류 신호를 증폭할 수 있는 트랜스 임피던스 증폭기 중 적어도 어느 한 가지를 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 증폭기는 상기 기준신호 및 상기 물질신호의 크기에 따라 버퍼링 또는 신호 크기 감쇄를 수행할 수 있는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제8항에 있어서, 상기 복수의 전극들의 개수는 변경 가능한 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제8항에 있어서, 상기 로직 회로는 XOR 회로 또는 XNOR 회로인 것을 특징으로 하는 임피던스의 크기 및 위상 측정 회로
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제8항에 있어서, 상기 신호발생기가 인가하는 신호의 주파수가 소정 주파수 미만인 경우에는 상기 제1 및 제2 클락 신호를 이용하여 상기 표본화를 수행하고, 상기 소정 주파수 이상인 경우에는 상기 제3 및 제4 클락 신호를 이용하여 상기 표본화를 수행하는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 클락 신호를 이용하여 상기 표본화를 수행할 경우, 상기 제3 및 제4 클락 신호가 생성되지 않도록 상기 제1 및 제2 미분기와 상기 제3 및 제4 비교기에 대한 전원 공급을 차단하는 전원차단회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제8항에 있어서, 상기 표본화를, 상기 제1 및 제2 클락 신호를 이용하여 수행할지 또는 상기 제3 및 제4 클락 신호를 이용하여 수행할지는 상기 제1 선택기와 상기 제2 선택기를 통해서 선택할 수 있으며, 상기 제1 선택기와 상기 제2 선택기의 선택 동작에 필요한 제어신호는 상기 디지털 신호 처리기가 제공하거나 또는 외부의 신호발생기 또는 다른 외부기기로부터 제공받는 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 선택기는, 상기 제1 및 제2 클락 신호를 대신하여, 상기 위상 측정 신호와 이의 반전신호를 각각 선택하여 상기 제1 및 제2 샘플링 회로에 표본화 수행을 위한 클락신호로서 각각 제공하고, 상기 위상 측정 신호는 상기 제1 클락신호와 상기 제2 클락신호에 대한 XOR 연산 또는 XNOR 연산을 하여 얻어지는 펄스신호인 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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제8항에 있어서, 상기 신호발생기가 인가하는 신호의 주파수는 변경 가능한 것을 특징으로 하는 임피던스 크기 및 위상 측정 회로
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