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고밀도 탄소나노튜브 네트워크 박막 트랜지스터 및 나노메시 공정(Highly uniform carbon nanotube nanomesh network transistor and nanomesh process)

기술번호 : KST2017007027
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 고밀도 탄소나노튜브 네트워크 박막 트랜지스터 및 나노메시 공정에 관한 것이다. 본 발명의 일 양상인 탄소나노튜브 박막 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상부에 형성되며, 탄소나노튜브 네트워크 박막으로 이루어진 채널층; 상기 채널층 상부에 형성되는 소오스/드레인 전극; 상기 소오스/드레인 전극 상부에 형성되는 절연층; 및 상기 절연층 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하고, 상기 탄소나노튜브 네트워크 박막의 적어도 일부가 구멍이 뚫려있는 메쉬(mesh) 구조일 수 있다.
Int. CL	H01L 29/786 (2015.11.22) H01L 29/06 (2015.11.22) H01L 21/02 (2015.11.22) H01L 51/00 (2015.11.22)
CPC	H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01)
출원번호/일자	1020150140427 (2015.10.06)
출원인	국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2017-0041324 (2017.04.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2015.10.06)
심사청구항수	2

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	국민대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	최성진	대한민국	서울 관악구
2	김동명	대한민국	서울 강남구
3	김대환	대한민국	경기 성남시 분당구
4	최봉식	대한민국	울산 남구
5	윤진수	대한민국	서울시 성북구
6	이주희	대한민국	서울특별시 은평구
7	전민수	대한민국	경기도 부천시 원미구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 아이퍼스	대한민국	서울특별시 강남구 삼성로*길, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2015.10.06	수리 (Accepted)	1-1-2015-0967723-71
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2016.03.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.03.14	수리 (Accepted)	4-1-2016-5032192-73
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2016.05.10	수리 (Accepted)	9-1-2016-0020489-79
5	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2016.10.26	수리 (Accepted)	1-1-2016-1043282-89
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.01.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0031652-01
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2017.03.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0245784-80
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.03.13	수리 (Accepted)	1-1-2017-0245783-34
9	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2017.07.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0498274-19
10	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2017.08.18	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2017-0800052-07
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.08.18	수리 (Accepted)	1-1-2017-0800051-51
12	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2017.09.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0636099-29

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 상부에 형성되며, 탄소나노튜브 네트워크 박막으로 이루어진 채널층;상기 채널층 상부에 형성되는 소오스/드레인 전극;상기 소오스/드레인 전극 상부에 형성되는 절연층; 및상기 절연층 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하고,상기 탄소나노튜브 네트워크 박막의 적어도 일부가 구멍이 뚫려있는 메쉬(mesh) 구조인 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터
2	2 제 1항에 있어서,상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 위치하는 탄소나노튜브 네트워크 박막이 상기 메쉬(mesh) 구조인 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터
3	3 제 1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 박막은 금속 성질을 갖는 제 1 영역 및 반도체 성질을 갖는 제 2 영역을 포함하고,상기 메쉬 구조의 구멍을 통해 상기 제 1 영역이 연속되지 않는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터
4	4 제 3항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 박막이 상기 기판 상부에 형성되는 증착시간에 따라 낮아지는 온/오프 비율은,상기 제 1 영역이 연속되지 않는 것을 통해 높아지는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터
5	5 제 4항에 있어서,상기 온/오프 비율이 높아짐에 따라 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터의 누설전류가 감소하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터
6	6 제 1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 박막은 싱글-월(single-wall), 더블-월(double-wall) 및 멀티-월(multi-wall) 중 적어도 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터
7	7 제 1항에 있어서,상기 소오스/드레인 전극은 Pt, Al, Au, Cu, Cr, Ni, Ru, Mo, V, Zr, Ti, W, 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 ITO(Indium tin oxide), AZO(Al-doped ZnO), IZO(Indium zinc oxide), FTO(F-doped SnO2), GZO(Ga-doped ZnO), ZTO(zinc tin oxide), GIO(gallium indium oxide), ZnO, Pd, Ag 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 전극인 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터
8	8 제 1항에 있어서,상기 절연층은 폴리비닐펜올(polyvinylphenol), SU-8TM, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 파릴렌(Parylene), SiO2, Al2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터
9	9 제 1항에 있어서,상기 게이트 전극은 Pt, Al, Au, Cu, Cr, Ni, Ru, Mo, V, Zr, Ti, W, 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 탄소나노튜브 네트워크 박막을 포함하는 것것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터
10	10 탄소나노튜브 네트워크 박막으로 기판의 상부에 채널층을 형성하는 제 1 단계;상기 채널층 상부에 소오스/드레인 전극을 형성하는 제 2 단계;상기 소오스/드레인 전극 상부에 절연층을 형성하는 제 3 단계; 및상기 절연층 상부에 게이트 전극을 형성하는 제 4 단계;를 포함하되,상기 제 1 단계에서, 상기 탄소나노튜브 네트워크 박막의 적어도 일부가 구멍이 뚫려있는 메쉬(mesh) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 제조방법
11	11 제 10항에 있어서,상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 위치하는 탄소나노튜브 네트워크 박막이 상기 메쉬(mesh) 구조인 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 제조방법
12	12 제 10항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 박막은 금속 성질을 갖는 제 1 영역 및 반도체 성질을 갖는 제 2 영역을 포함하고,상기 메쉬 구조의 구멍을 통해 상기 제 1 영역이 연속되지 않는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 제조방법
13	13 제 12항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 박막이 상기 기판 상부에 형성되는 증착시간에 따라 낮아지는 온/오프 비율은,상기 제 1 영역이 연속되지 않는 것을 통해 높아지는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 제조방법
14	14 제 13항에 있어서,상기 온/오프 비율이 높아짐에 따라 상기 탄소나노튜브 박막 트랜지스터의 누설전류가 감소하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 제조방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	미래창조과학부	국민대학교산학협력단	신진연구자지원사업	상용화가 가능한 고신뢰성, 고안정성의 고성능 탄소나노튜브 차세대 반도체 소자 개발 및 특성분석 플랫폼 개발

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2015.10.06	수리 (Accepted)	1-1-2015-0967723-71
2	선행기술조사의뢰서	2016.03.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	출원인정보변경(경정)신고서	2016.03.14	수리 (Accepted)	4-1-2016-5032192-73
4	선행기술조사보고서	2016.05.10	수리 (Accepted)	9-1-2016-0020489-79
5	[출원서등 보정]보정서	2016.10.26	수리 (Accepted)	1-1-2016-1043282-89
6	의견제출통지서	2017.01.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0031652-01
7	[명세서등 보정]보정서	2017.03.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0245784-80
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.03.13	수리 (Accepted)	1-1-2017-0245783-34
9	거절결정서	2017.07.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0498274-19
10	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2017.08.18	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2017-0800052-07
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.08.18	수리 (Accepted)	1-1-2017-0800051-51
12	거절결정서	2017.09.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0636099-29


과제고유번호	1711016079
세부과제번호	2013R1A1A1057870
연구과제명	상용화가 가능한 고신뢰성, 고안정성의 고성능 탄소나노튜브 차세대 반도체 소자 개발 및 특성분석 플랫폼 개발
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2014
연구기간	201311~201610
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020150140427]	고밀도 탄소나노튜브 네트워크 박막 트랜지스터 및 나노메시 공정(Highly uniform carbon nanotube nanomesh network transistor and nanomesh process)	새창보기

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