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고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법에 있어서,순서대로 금속 함유 층; 그래핀 박막; 및 고분자층을 구비한 복합체를 형성하는 제1단계; 상기 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는, 금속 함유 층의 금속 표면 상태로 변하는 것을 억제하는 4℃ 이하이면서 금속 함유 층을 제거하는 용액의 어는점 이상인 저온 조건하에, 금속 함유 층을 제거하는 제2단계; 및 상기 금속 함유 층이 제거된 그래핀 박막 및 고분자층을 구비한 복합체를 기재에 전사한 후 고분자를 제거하는 제3단계를 포함하는 것이 특징인 그래핀 박막이 전사된 기재의 제조방법
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제1항에 있어서, 제1단계는, 금속 함유 층 상에 형성된 그래핀 박막의 표면에 고분자층 형성시, 상기 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태로 변하는 것을 억제하는 저온 조건하에 고분자층을 형성시키거나, 상기 금속 함유 층; 그래핀 박막; 및 고분자층을 구비한 복합체에 대해 상기 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태로 변화를 야기하는 고온 어닐링을 수행하지 않는 것이 특징인 그래핀 박막이 전사된 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 함유 층은 그래핀 성장용 금속 촉매층인 것이 특징인 그래핀 박막이 전사된 기재의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 그래핀 성장용 금속 촉매층은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Fe, 황동(brass), 청동(bronze), 스테인레스 스틸(stainless steel), Ge 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로 부터 선택된 것을 포함하는 것이 특징인 그래핀 박막이 전사된 기재의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 함유 층은 금속 호일인 것이 특징인 그래핀 박막이 전사된 기재의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 함유 층은 구리 호일이고, 구리 호일 상 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 구리의 산화상태는 CuII인 것이 특징인 그래핀 박막이 전사된 기재의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 함유 층은 구리 호일이고 구리 호일 상 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 구리의 표면 상태는 평균 표면 거칠기가 10 나노미터 이상인 것이 특징인 그래핀 박막이 전사된 기재의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기재는 유리, 고분자, 반도체, 금속 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것이 특징인 그래핀 박막이 전사된 기재의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기재는 투명성, 유연성, 또는 둘다를 가지는 것이 특징인 그래핀 박막이 전사된 기재의 제조방법
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제1항에 있어서, 제2단계는 금속 에칭 용액을 사용하고, 제3단계는 해당 고분자를 용해시키는 고분자 제거액을 사용하는 것이 특징인 그래핀 박막이 전사된 기재의 제조방법
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그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법에 있어서, 순서대로 금속 함유 층; 그래핀 박막; 및 고분자층을 구비한 복합체를 형성하는 단계; 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 확인하여 상기 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층이 변하지 아니하는 조건을 결정하는 단계;고분자층이 완전히 제거될 때까지, 이전단계에서 결정된 조건으로, 금속 함유 층; 그래핀 박막; 및 고분자층을 구비한 복합체를 관리하는 단계; 및고분자층을 제거하는 단계를 포함하는 것이 특징인 그래핀 상 고분자 제거 방법
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제12항에 있어서, 상기 복합체를 관리하는 단계는 상기 결정된 조건에서 금속 함유 층; 그래핀 박막; 및 고분자층을 구비한 복합체로부터 금속 함유 층을 제거하는 단계를 포함하는 것이 특징인 그래핀 상 고분자 제거 방법
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제12항에 있어서, 고분자층 제거 단계 이후, 금속 함유 층; 및 그래핀 박막을 구비한 복합체로부터 금속 함유 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 특징인 그래핀 상 고분자 제거 방법
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그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법에 있어서,순서대로 금속 함유 층; 그래핀 박막; 및 고분자층을 구비한 복합체를 형성하는 A단계; 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 확인하여 상기 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 단계;상기 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태로 변화시키는 조건에서 상기 복합체를 처리하는 B단계; 및 고분자층 일부를 제거하여 그래핀 상에 고분자 패턴을 형성하는 C단계를 포함하되,상기 고분자 패턴에 해당하는 패턴으로 금속 함유 층을 상기 복합체 내에 형성하거나, 상기 고분자 패턴에 해당하는 금속 함유 층 부위에서만 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 상기 금속 표면 상태로 변화시킴으로써, 그래핀 상에 상기 고분자 패턴에 해당하는 고분자 층을 고정하여, C단계에서 고분자층 제거 시 그래핀 상에 고분자 패턴을 형성시키는 것이 특징인 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법
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제15항에 있어서, 상기 금속 함유 층의 구리 호일이고, 구리 호일 상 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 구리의 표면상태는 평균 표면 거칠기가 10 나노미터 이상이거나 구리의 산화상태는 CuII 인 것이 특징인 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법
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유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법에 있어서,순서대로 금속 함유 층; 그래핀 박막; 및 고분자층을 구비한 복합체를 형성하는 단계; 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 확인하여 상기 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 단계; 및이전 단계에서 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건하에 금속 함유 층; 그래핀 박막; 및 고분자층을 구비한 복합체를 처리하여 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 단계를 포함하는 것이 특징인 그래핀 상 고분자층 고정 방법
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제17항에 있어서, 그래핀 상 고분자층 고정 단계 이후 금속 함유 층; 그래핀 박막; 및 고분자층을 구비한 복합체로부터 금속 함유 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 특징인 그래핀 상 고분자층 고정 방법
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