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1
그 상면 상에 전극층, 하부층, 및 상부층이 적층된 기판을 준비하되, 상기 상부층은 0
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2
제 1항에 있어서, 상기 유기물은 소스 챔버 내에 제공되며, 상기 유기 가스를 공급하는 것은 150℃ 내지 250℃의 캐리어 가스를 상기 소스 챔버 내에 주입하는 것을 더 포함하는 광전자 소자 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 광굴절 패턴들을 형성하는 동안 상기 기판은 -30℃ 내지 80℃의 온도에 제공되는 광전자 소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 광굴절 패턴들 각각은 0
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제1 항에 있어서, 상기 기판은 복수의 서브 픽셀들을 가지고, 상기 서브 픽셀들 중에서 적어도 하나는 평면적 관점에서 상기 광굴절 패턴들 중에서 적어도 2개 이상과 중첩되는 광전자 소자 제조방법
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6
제 1항에 있어서, 상기 유기물은 NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)을 포함하는 광전자 소자 제조방법
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7
제 1항에 있어서, 상기 상부층은 산소, 실리콘, 갈륨, 게르마늄, 셀레늄, 탄소, 및 금속 중 적어도 하나를 포함하는 광전자 소자 제조방법
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8
제 1항에 있어서, 상기 유기물은 PTCDA(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride)와 그 유도체, CuPc(copper phthalocyanine)와 그 유도체, 펜타센(pentacene)과 그 유도체, TPD(N,N′-diphenyl-N,N′-bis(3-methylphenyl)-[(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine]와 그 유도체, 페릴렌(perylene)과 그 유도체, 나프탈렌 디이미드(naphthalene diimide)와 그 유도체, 올리티오펜(oligothiophenene)과 그 유도체, perfluorinated oligo-p-phenylene과 그 유도체, 2,5-diarylsilole과 그 유도체, arylene diamin과 그 유도체, 아로마틱 아민(aromatic amine)과 그 유도체, starburst계 유기물, 아민계 유기물, 히드라존계 유기물, 및 distryl계 유기물 중 적어도 하나를 포함하는 광전자 소자 제조방법
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9
증착 챔버 및 소스 챔버를 포함하는 증착 장치를 준비하는 것;기판을 상기 증착 챔버 내에 제공하되, 상기 기판은 그 상면 상에 제1 전극층, 하부층, 및 상부층이 적층되고, 상기 상부층은 0
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10
제 9항에 있어서, 상기 유기 가스를 공급하는 것은:상기 유기 챔버 내에 150℃ 내지 250℃의 캐리어 가스를 주입하여, 상기 유기 가스를 상기 증착 챔버 내로 이송시키는 것을 포함하는 광전자 소자 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 증착 장치는: 상기 소스 챔버 상의 제1 온도 조절부; 상기 소스 챔버 내에 상기 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 챔버; 및 상기 캐리어 챔버를 가열하는 제2 온도 조절부를 더 포함하는 광전자 소자 제조방법
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12
제 9항에 있어서, 상기 광굴절 패턴들 각각은 0
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13
제 9항에 있어서, 상기 기판은 복수의 서브 픽셀들을 가지고, 상기 서브 픽셀들 중에서 적어도 하나는 평면적 관점에서 상기 광굴절 패턴들 중 적어도 2개 이상과 중첩되는 광전자 소자 제조방법
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14
제 9항에 있어서, 상기 광굴절 패턴은 Alq3(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum)를 포함하는 광전자 소자 제조방법
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15
제 9항에 있어서, 상기 유기물은 PTCDA(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride)와 그 유도체, CuPc(copper phthalocyanine)와 그 유도체, 펜타센(pentacene)과 그 유도체, TPD(N,N′-diphenyl-N,N′-bis(3-methylphenyl)-[(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine]와 그 유도체, 페릴렌(perylene)과 그 유도체, 나프탈렌 디이미드(naphthalene diimide)와 그 유도체, 올리티오펜(oligothiophenene)과 그 유도체, perfluorinated oligo-p-phenylene과 그 유도체, 2,5-diarylsilole과 그 유도체, arylene diamin과 그 유도체, 아로마틱 아민(aromatic amine)과 그 유도체, starburst계 유기물, 아민계 유기물, 히드라존계 유기물, 및 distryl계 유기물 중 적어도 하나를 포함하는 광전자 소자 제조방법
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16
제 9항에 있어서, 상기 상부층은 산소, 실리콘, 갈륨, 게르마늄, 셀레늄, 탄소, 및 금속 중 적어도 하나를 포함하는 광전자 소자 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 하부층 및 상기 상부층 사이에 제2 전극층을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 상부층은 광굴절층으로 기능하는 광전자 소자 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 하부층 및 상기 상부층 사이에 제2 전극층을 형성하는 것; 및 상기 제2 전극층 및 상기 상부층 사이에 광굴절층을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 상부층은 패시베이션층으로 기능하는 광전자 소자 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 광굴절 패턴들이 형성되는 동안 상기 기판은 -30℃ 내지 80℃의 온도에 제공되는 광전자 소자 제조방법
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