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기판 구조체; 및상기 기판 구조체 상에 배치되고, 곡면체들을 포함하는 어레이를 포함하되, 상기 곡면체들은 결정질의 유기 화합물을 포함하는 광소자
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제 1항에 있어서, 상기 결정질의 유기 화합물은 파이 컨쥬게이션 구조를 갖는 광소자
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제 1항에 있어서, 상기 곡면체들은 benzene, naphtalene, phenanthrene, biphyenyl, quinoline, fluorine, phenylpyrazole, phenanthroline, quinodimethane, quinoxaline, indolocarbazole, carbazole, spirobifluorene, pyridine, thiophene, dibenzothiophene, furan, diazafluoren, benzofuropyridine, triazine, antracene, pyrene, benzothiazolel, coumarine, quinacridone, phenylpyridine, oxadiazole, phenoxazine, 또는 이들의 유도체를 포함하는 광소자
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제 3항에 있어서상기 곡면체들은 N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine, Tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum, 및 이들의 유도체들 중에서 적어도 하나를 포함하는 광소자
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제 1항에 있어서, 각각의 상기 곡면체들의 표면 장력은 상기 기판 구조체의 상기 상면의 표면 장력보다 더 큰 광소자
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제 1항에 있어서, 상기 곡면체들 각각은 제1 그레인 및 제2 그레인을 포함하고, 상기 제2 그레인은 상기 제1 그레인과 다른 결정 구조 또는 다른 결정 방향을 갖는 광소자
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7
기판 구조체를 준비하는 것; 및상기 기판 구조체 상에 곡면체들을 포함하는 어레이를 증착하는 것을 포함하되, 상기 곡면체들은 결정질의 유기 화합물을 포함하는 광소자 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 어레이를 증착하는 것은:전구체를 가열하여, 유기 증기를 형성하는 것; 및상기 유기 증기를 상기 기판 구조체 상에 증착시키는 것을 포함하는 광소자 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 전구체는 비정질의 유기 화합물을 포함하는 광소자 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 전구체를 가열하는 것은 200oC 내지 400oC에서 수행되는 광소자 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 유기 증기를 형성하는 것은 10-4 Torr 내지 1 Torr의 압력 조건에서 수행되는 광소자 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 어레이를 증착하는 동안, 상기 기판 구조체는 -20℃ 내지 80℃의 온도에 제공되는 광소자 제조방법
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13
제 7항에 있어서, 상기 어레이를 증착하는 것은 유기 기상 증착법 또는 열 증착법에 의해 수행되는 광소자 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 결정질의 유기 화합물은 파이 컨쥬게이션 구조를 가지는 광소자 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 곡면체들 각각은 제1 그레인 및 제2 그레인을 포함하고, 상기 제2 그레인은 상기 제1 그레인과 다른 결정 구조 또는 다른 결정 방향을 갖는 광소자 제조방법
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제 7항에 있어서, 각각의 상기 곡면체의 표면 장력은 상기 기판 구조체의 상기 상면의 표면 장력보다 더 큰 광소자 제조방법
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