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기판; 상기 기판 상에 형성되어 있으며 제1 영역과 이에 인접한 제2 영역을 갖는 이차원 물질층; 및 상기 이차원 물질층의 제1 및 제2 영역과 각각 접촉하도록 형성된 소스/드레인 전극을 포함하고,상기 제2 영역의 이차원 물질층은 표면에 산소가 흡착된 산소 흡착 물질층을 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 산소 흡착 물질층의 일함수(work function)는 상기 제1 영역의 이차원 물질층의 일함수와 비교하여 0
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제2항에 있어서,상기 이차원 물질층은 MoS2로 형성된 반도체 소자
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제3항에 있어서,상기 산소 흡착 물질층은 상기 제2 영역의 이차원 물질층의 표면에서의 산소 흡착율이 2% 이상인 반도체 소자
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제4항에 있어서,상기 산소 흡착 물질층은 상기 제2 영역의 이차원 물질층의 표면에서의 산소 흡착율이 2~30%인 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 서로 다른 물질로 형성된 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 소스/드레인 전극 중에서 하나의 전극은 Cr/Au로 형성되고 다른 하나의 전극은 Pd로 형성된 반도체 소자
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제1항에 있어서,적어도 상기 이차원 물질층의 제1 영역을 덮도록 형성된 패시베이션층을 포함하는 반도체 소자
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제8항에 있어서,상기 패시베이션층은 산소의 침투를 방지할 수 있는 절연 물질로 형성되는 반도체 소자
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다층 구조체를 포함하는 반도체 소자에 있어서,이차원 물질로 이루어져 있으며, 제1 영역과 제2 영역을 가지되 상기 제2 영역의 이차원 물질의 표면에는 산소가 흡착된 산소 흡착 물질층을 포함하는 반도체층; 및상기 반도체층의 적어도 일면에 구비된 하나 이상의 비반도체층을 포함하는 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 반도체 소자는 터널링 소자이고, 상기 반도체층은 터널링층인 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 반도체 소자는 BJT(Binary Junction Transistor)이고,상기 반도체층은 터널링층인 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 반도체 소자는 배리스터(barrister)이고, 상기 반도체층은 채널층인 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 반도체 소자는 FET(Field Effect Transistor)이고,상기 반도체층은 채널층인 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 인접하게 배치되어 있으며,상기 반도체 소자는 다이오드인 반도체 소자
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기판; 상기 기판 상에 형성되어 있으며 제1 영역과 이에 인접한 제2 영역을 갖는 이차원 물질층; 및 상기 이차원 물질층의 제1 및 제2 영역과 각각 접촉하도록 형성된 소스/드레인 전극을 포함하고,상기 제1 영역의 이차원 물질층의 표면에 흡착된 산소의 양인 제1 산소 흡착율과 상기 제2 영역의 이차원 물질층의 표면에 흡착된 산소의 양인 제2 산소 흡착율이 서로 다른 반도체 소자
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제16항에 있어서, 상기 제1 산소 흡착율은 0%이고, 상기 제2 산소 흡착율은 2% 이상인 반도체 소자
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제17항에 있어서,상기 제2 산소 흡착율은 2~30%인 반도체 소자
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