| 1 |
1
(a) 임시 기판에 임시기판 분리층을 형성하는 단계;(b) 상기 임시기판 분리층에 회로 배선을 형성하는 단계;(c) 상기 회로 배선 위에 액상 고분자를 기판 형상으로 붓고 큐어링하여 고분자 기판층을 형성하는 단계;(d) 상기 회로 배선이 내재된 고분자 기판층으로부터 임시 기판을 분리시켜 제거하는 단계; 및(e) 상기 회로 배선이 내재된 고분자 기판층으로부터 임시기판 분리층을 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 임시기판 분리층에 회로배선 형성용 마스크 패턴을 구비시키는 단계;상기 마스크 패턴 내에 회로배선을 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 (c) 단계는, 상기 회로배선에 접착층 처리를 하는 단계; 및 상기 회로배선의 접착층 상에 액상 고분자를 붓고 큐어링하여 고분자 기판 층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서,상기 회로배선의 접착층 처리는 MPTMS (mercaptopropyltrimethoxysilane), 사일렌(silanes), 페릴린(pyrelene), 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, PTFE(polytetrafluoroethylene), 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론, FR4, 실리콘(silicone), PDMS(polydimethylsiloxane), 폴리우레탄 중에서 적어도 하나를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 5 |
5
제 3항에 있어서,상기 회로배선의 접착층 처리는 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 철(Fe), 텅스텐(W), 알루미늄(Al) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 임시기판 분리층은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 철(Fe), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속으로 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 임시기판 분리층은 페릴린(pyrelene)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,상기 회로배선은 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속으로 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서,상기 회로배선은 금속분말, 나노 금속분말, 틴소나노튜브, 그래핀, 전도성 세라믹 분말들 중의 어느 하나 또는 둘 이상을 조합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서,상기 회로배선은 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성으로 이루어진 전도층과 금속분말, 나노 금속분말, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 세라믹 분말들 중의 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어진 전도층을 조합하여 2층 또는 그 이상의 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 11 |
11
제 1항에 있어서,상기 회로배선은 진공증착, 전기도금, 무전해도금, 스퍼터링, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 페이스트의 스크린 프린팅 중의 어느 하나 또는 둘 이상을 조합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 12 |
12
제 1항에 있어서,상기 고분자 기판층은 PDMS(polydimethylsiloxane), 실리콘(silicone), 폴리우레탄, 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론, FR4 중에서 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 13 |
13
(a) 상부 임시기판에 임시기판 분리층을 형성하는 단계; (b) 상기 상부 임시기판의 임시기판 분리층에 상부 회로배선을 형성하는 단계; (c) 상기 상부 회로배선에 비아(via)를 형성하는 단계; (d) 하부 임시기판에 임시기판 분리층을 형성하는 단계; (e) 상기 하부 임시기판의 임시기판 분리층에 하부 회로배선을 형성하는 단계; (f) 상기 하부 회로배선에 패드를 형성하는 단계; (g) 상기 상부 회로배선의 비아들을 하부 회로배선의 패드들에 배열하여 접합하는 단계; (h) 상부 회로배선과 하부 회로배선이 접합된 상부 임시기판과 하부 임시기판 사이에 액상 고분자를 충전하고 큐어링하여 고분자 기판층을 형성하는 단계;(i) 상기 상부 임시기판과 하부 임시기판을 박리시켜 제거하는 단계; 및 (j) 상기 회로배선이 내재된 고분자 기판층에서 임시기판 분리층을 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 14 |
14
제 13항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 상부 임시기판의 임시기판 분리층에 회로배선 형성용 마스크 패턴을 구비시키는 단계;상기 마스크 패턴 내에 상부 회로배선을 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 15 |
15
제 13항에 있어서,상기 (c) 단계는, 상기 상부 회로배선에 비아 형성용 마스크 패턴을 구비시키는 단계;상기 마스크 패턴 내에 비아를 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 16 |
16
제 13항에 있어서,상기 (e) 단계는, 상기 하부 임시기판의 임시기판 분리층에 회로배선 형성용 마스크 패턴을 구비시키는 단계;상기 마스크 패턴 내에 하부 회로배선을 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 17 |
17
제 13항에 있어서,상기 (f) 단계는, 상기 하부 회로배선에 패드 형성용 마스크 패턴을 구비하는 단계;상기 마스크 패턴 내에 패드를 구비하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 18 |
18
제 13항에 있어서,상기 (g) 단계에서 상부 회로배선의 비아들을 하부 회로배선의 패드들에 접합하기 위해 하부 회로배선의 패드 표면 또는 상부 회로배선의 비아 표면에 개별적으로 접합층을 구비하거나, 하부 회로배선의 패드 표면과 상부 회로배선의 비아 표면에 접합층을 각각 구비하는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 19 |
19
제 18항에 있어서,상기 접합층은 주석(Sn)에 은(Ag), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 인듐(In), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 납(Pb), 금(Au) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 20 |
20
제 18항에 있어서,상기 접합층은 전기도금, 스퍼터링, 진공증착, 무전해도금, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 페이스트 스크린 프린팅 중의 어느 하나 또는 둘 이상의 방법을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 21 |
21
제 13항에 있어서,상기 비아는 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속으로 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 22 |
22
제 13항에 있어서,상기 비아는 전기도금, 스퍼터링, 진공증착, 무전해도금, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 페이스트 스크린 프린팅 중의 어느 하나 또는 둘 이상의 방법을 조합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 23 |
23
제 13항에 있어서,상기 패드는 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속으로 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 24 |
24
제 13항에 있어서,상기 패드는 전기도금, 스퍼터링, 진공증착, 무전해도금, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 페이스트 스크린 프린팅 중의 어느 하나 또는 둘 이상의 방법을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 25 |
25
제 13항에 있어서,상기 (b) 단계와 (h) 단계에서, 상기 회로배선에는 접착층 처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 26 |
26
제 25항에 있어서,상기 회로배선의 접착층 처리는 MPTMS (mercaptopropyltrimethoxysilane), 사일렌(silanes), 페릴린(pyrelene), 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, PTFE(polytetrafluoroethylene), 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론, FR4, 실리콘(silicone), PDMS(polydimethylsiloxane), 폴리우레탄 중에서 적어도 하나를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 27 |
27
제 25항에 있어서,상기 회로배선의 접착층 처리는 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 철(Fe), 텅스텐(W), 알루미늄(Al) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 28 |
28
제 13항에 있어서,상기 임시기판 분리층은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 철(Fe), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속으로 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 29 |
29
제 13항에 있어서,상기 임시기판 분리층은 페릴린(pyrelene)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 30 |
30
제 13항에 있어서,상기 회로배선은 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속으로 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 31 |
31
제 13항에 있어서,상기 회로배선은 금속분말, 나노 금속분말, 틴소나노튜브, 그래핀, 전도성 세라믹 분말들 중의 어느 하나 또는 둘 이상을 조합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 32 |
32
제 13항에 있어서,상기 회로배선은 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성으로 이루어진 전도층과 금속분말, 나노 금속분말, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 세라믹 분말들 중의 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어진 전도층을 조합하여 2층 또는 그 이상의 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 33 |
33
제 13항에 있어서,상기 회로배선은 진공증착, 전기도금, 무전해도금, 스퍼터링, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 페이스트의 스크린 프린팅 중의 어느 하나 또는 둘 이상을 조합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 34 |
34
제 13항에 있어서,상기 고분자 기판층은 PDMS(polydimethylsiloxane), 실리콘(silicone), 폴리우레탄, 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론, FR4 중에서 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
| 35 |
35
제 1항 내지 제 34항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 회로기판
|
| 36 |
36
제 1항 내지 제 34항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 회로기판에 전자부품을 실장하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 패키지의 제조방법
|
| 37 |
37
제 36항의 제조방법으로 제조된 전자소자 패키지
|
