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블록 코폴리머 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법(Block copolymer and method of manufacturing integrated circuit device using the same)

  • 기술번호 : KST2017007383
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 블록 코폴리머를 구성하는 제1 폴리머 블록 및 제2 폴리머 블록 중에서 선택되는 어느 하나의 폴리머 블록은 할로겐 원자로 치환된 구조를 가진다. 집적회로 소자를 제조하기 위하여, 제1 용해도 파라미터를 가지는 제1 폴리머 블록과, 제1 용해도 파라미터보다 더 작은 제2 용해도 파라미터를 가지고 할로겐 원자로 치환된 구조를 가지는 제2 폴리머 블록을 포함하는 블록 코폴리머를 포함하는 블록 코폴리머층을 피쳐층 위에 형성한다. 블록 코폴리머층을 상분리하여 복수의 제1 도메인과, 복수의 제1 도메인을 각각 포위하는 제2 도메인을 형성한 후, 복수의 제1 도메인을 제거하고, 제2 도메인을 식각 마스크로 이용하여 피쳐층을 식각하여 복수의 홀을 형성한다.
Int. CL C08F 297/04 (2006.01.01) C08F 299/04 (2006.01.01) H01L 21/033 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01)
CPC C08F 297/04(2013.01) C08F 297/04(2013.01) C08F 297/04(2013.01) C08F 297/04(2013.01) C08F 297/04(2013.01)
출원번호/일자 1020150145431 (2015.10.19)
출원인 삼성전자주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0045614 (2017.04.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.16)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권승철 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 박정주 대한민국 경기도 화성
3 김은성 대한민국 서울특별시 양천구
4 이경미 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 이시용 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 방준하 대한민국 서울특별시 서초구
7 우상훈 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-1009620-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1097758-36
4 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-1097759-82
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번호 청구항
1 1
서로 다른 구조를 가지는 제1 폴리머 블록 및 제2 폴리머 블록을 포함하고, 상기 제1 폴리머 블록 및 상기 제2 폴리머 블록 중에서 선택되는 어느 하나의 폴리머 블록은 할로겐 원자로 치환된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 폴리머 블록 및 상기 제2 폴리머 블록은 서로 다른 용해도 파라미터(solubility parameter)를 가지고, 상기 제1 폴리머 블록 및 상기 제2 폴리머 블록 중 용해도 파라미터가 더 작은 폴리머 블록은 상기 할로겐 원자로 치환된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
3 3
제1항에 있어서, 다음 식 (1)의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 폴리머 블록과 상기 제2 폴리머 블록과의 사이에 연결되어 있고 적어도 2 개의 반복 단위가 랜덤하게 공중합되어 있는 랜덤 블록 코폴리머를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
5 5
제4항에 있어서, 상기 랜덤 블록 코폴리머는 다음 식 (2)로 표시되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 폴리머 블록에 연결된 제1 말단기(end group)와, 상기 제2 폴리머 블록에 연결된 제2 말단기를 더 포함하고, 상기 제1 말단기 및 제2 말단기 중 어느 하나의 말단기는 디티오에스테르 (dithioester) 또는 트리티오카보네이트 (trithiocarbonate end group)를 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
7 7
제1 용해도 파라미터(solubility parameter)를 가지는 제1 폴리머 블록과, 상기 제1 용해도 파라미터보다 더 작은 제2 용해도 파라미터를 가지고, 할로겐 원자로 치환된 구조를 가지는 제2 폴리머 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
8 8
제7항에 있어서, 다음 식 (1)의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
9 9
제7항에 있어서, 다음 식 (3)의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
10 10
제7항에 있어서, 상기 제1 폴리머 블록과 상기 제2 폴리머 블록과의 사이에 연결되어 있고 적어도 2 개의 반복 단위가 랜덤하게 공중합되어 있는 랜덤 블록 코폴리머를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
11 11
제7항에 있어서, 다음 식 (5)의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머
12 12
제7항에 있어서, 80 ∼ 100 kg/mol의 분자량 및 적어도 1
13 13
제1 용해도 파라미터(solubility parameter)를 가지는 제1 폴리머 블록과, 상기 제1 용해도 파라미터보다 더 작은 제2 용해도 파라미터를 가지고 할로겐 원자로 치환된 구조를 가지는 제2 폴리머 블록을 포함하는 블록 코폴리머를 포함하는 블록 코폴리머층을 피쳐층(feature layer) 위에 형성하는 단계와, 상기 블록 코폴리머층을 상분리하여, 상기 제1 폴리머 블록을 포함하고 규칙적인 배열을 이루는 복수의 제1 도메인(domain)과, 상기 제2 폴리머 블록을 포함하고 상기 복수의 제1 도메인을 각각 포위하는 제2 도메인을 형성하는 단계와, 상기 복수의 제1 도메인을 제거하는 단계와, 상기 제2 도메인을 식각 마스크로 이용하여 상기 피쳐층을 식각하여 상기 피쳐층에 복수의 홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 블록 코폴리머는 다음 식 (3)의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 제조 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 블록 코폴리머는 상기 제1 폴리머 블록에 연결된 제1 말단기와, 상기 제2 폴리머 블록에 연결된 제2 말단기를 더 포함하고, 상기 제1 말단기 및 제2 말단기는 각각 -S-(C=S)-R'로 표시되는 황 함유 작용기 (sulfur-containing functional group) (여기서 R'은 치환 또는 비치환된 C1 - C25 알킬, 치환 또는 비치환된 C2 - C25 알케닐, 치환 또는 비치환된 C2 - C25 알키닐, 치환 또는 비치환된 페닐, 치환 또는 비치환된 나프틸(naphthyl), 치환 또는 비치환된 벤질(benzyl), 치환 또는 비치환된 C1 - C25 알킬티오(alkylthio), 치환 또는 비치환된 C1 - C25 알콕시, 치환 또는 비치환된 C1 - C25 알킬아미노, 또는 치환 또는 비치환된 C6 - C10 아릴(aryl)기), 수소 원자, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 - C25 알킬, 치환 또는 비치환된 C1 - C25 알킬티오, 치환 또는 비치환된 C6 - C10 아릴, 치환 또는 비치환된 C6 - C25 아릴옥시카르보닐(aryloxycarbonyl), 카르복시(carboxy), 치환 또는 비치환된 C1 - C25 아실옥시(acyloxy), 치환 또는 비치환된 C1 - C25 카르바모일(carbamoyl), 또는 시아노(cyano)기를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 제조 방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 블록 코폴리머는 상기 제1 폴리머 블록과 상기 제2 폴리머 블록과의 사이에 연결되어 있고 적어도 2 개의 반복 단위가 랜덤하게 공중합되어 있는 랜덤 블록 코폴리머를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 제조 방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 블록 코폴리머는 다음 식 (5)의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 제조 방법
18 18
제13항에 있어서, 상기 블록 코폴리머는 80 ∼ 100 kg/mol의 분자량 및 적어도 1
19 19
제13항에 있어서, 상기 제1 폴리머 블록은 PMMA (poly(methyl methacrylate)), PEO (poly(ethylene oxide)), PLA (poly(lactic acid)), 및 PI (polyisoprene) 중에서 선택되는 어느 하나로 이루어지고, 상기 제2 폴리머 블록은 PFS (poly(fluorinated styrene))로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 제조 방법
20 20
제13항에 있어서, 상기 복수의 제1 도메인은 적어도 50 nm의 피치로 규칙적으로 배열되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN106977673 CN 중국 FAMILY
2 US10138318 US 미국 FAMILY
3 US20170107317 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN106977673 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US10138318 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2017107317 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.