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레이저 간섭 석판술(Laser interference lithography)을 이용하여 기판 상에 나노 구조를 형성하는 단계;형성된 나노 구조를 기판에 전사하는 단계;기판에 전사된 나노 구조의 상부에 산화물층을 형성하는 단계; 및상기 산화물층 상에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는 비색 바이오 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 레이저 간섭 석판술에 의해 형성되는 나노 구조는, 점(dot), 구멍(hole), 또는 라인(line)을 포함하는 비색 바이오 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 형성된 나노 구조를 기판에 전사하는 단계는, 유도결합 플라즈마 식각(Inductively coupled plasma etching)을 통해 이루어지는 비색 바이오 센서의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 유도결합 플라즈마 식각은 O2, Cl2, CF4, BCl3, N2, 또는 CH4 가스를 이용하는 비색 바이오 센서의 제조방법
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기판과, 상기 기판상에 형성된 나노 구조와, 상기 나노 구조의 표면에 형성된 산화물층과, 상기 산화물층 상에 형성된 금속층을 구비하는 비색 바이오 센서
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제5항에 있어서,상기 기판은, 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 및 실리콘(Si) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어지는 비색 바이오 센서
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제5항에 있어서,상기 산화물층은, Al2O3, SiO2, MgO, 또는 Cu2O를 포함하는 비색 바이오 센서
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제5항에 있어서,상기 금속층은, 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), Rt, Pa, 티타늄(Ti), 수은(Hg), 탄탈룸(Ta)을 포함하는 비색 바이오 센서
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제5항에 있어서,상기 산화물층의 두께는 10nm~10㎛인 비색 바이오 센서
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제5항에 있어서,상기 금속층의 두께는 1nm~30nm인 비색 바이오 센서
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제5항에 있어서,상기 센서를 구성하는 용액은, 글루코스(Glucose), 글루코스 옥시다아제(glucose oxidase), 및 HAuCl4를 포함하는 비색 바이오 센서
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제11항에 있어서,상기 글로코스(Glucose)와 글루코스 옥시다아제(glucose oxidase)의 반응으로 환원제인 H2O2를 만들어 내는 비색 바이오 센서
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제12항에 있어서,상기 환원제에 의해 환원된 금속에 의해 센서의 색이 변하는 비색 바이오 센서
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