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전계제한링이 형성된 전력반도체용 소자 및 그 제조방법(Power semiconductor device and a method of manufacturing the same electric field limiting ring is formed)

  • 기술번호 : KST2017007439
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 전계제한링이 형성된 전력반도체용 소자에 있어서, 탄화규소 기판과, 상기 탄화규소 기판의 상부에 형성된 에피층을 포함하는 전력반도체용 소자에 있어서, 상기 에피층에 형성된 주 접합과; 상기 주 접합으로부터 일정 간격만큼 이격되며 서로 상이한 깊이를 갖는 복수의 전계제한링을 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 접합종단부 처리 기술의 하나인 전계제한링 구조에서 전계제한링의 접합깊이를 선형적으로 증가 또는 감소하도록 변화시켜 탄화규소 전력 반도체 소자의 항복전압을 증가시킬 수 있도록 하는 전계제한링이 형성된 전력반도체용 소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
Int. CL H01L 29/06 (2015.11.27) H01L 29/16 (2015.11.27) H01L 29/66 (2015.11.27) H01L 21/3213 (2015.11.27) H01L 21/306 (2015.11.27) H01L 21/027 (2015.11.27)
CPC H01L 29/0619(2013.01) H01L 29/0619(2013.01) H01L 29/0619(2013.01) H01L 29/0619(2013.01) H01L 29/0619(2013.01) H01L 29/0619(2013.01)
출원번호/일자 1020150145820 (2015.10.20)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0045837 (2017.04.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형우 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 방욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 문정현 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 석오균 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 김남균 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-1014381-97
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0590537-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0356038-65
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0075725-23
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0700280-87
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0806217-19
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번호 청구항
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전계제한링이 형성된 전력반도체용 소자 제조방법에 있어서,탄화규소 기판의 표면에 이산화규소 산화막을 형성하는 단계와;상기 산화막의 표면에 에칭막을 증착하는 단계와;상기 에칭막의 상부에 포토레지스트 막을 적층하는 단계와;상기 포토레지스트를 포토리소그라피를 통해 식각하는 단계와;상기 산화막을 경사지도록 에칭하는 단계와;상기 산화막의 상부에 마스크용 산화막 및 포토레지스트를 적층하는 단계와;포토레지스트의 상부에 주 접합 및 전계제한링 형성을 위한 마스크를 적층하고 상기 주 접합 및 상기 전계제한링을 형성하는 단계와;상기 주 접합 및 상기 전계제한링에 이온 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계제한링이 형성된 전력반도체용 소자 제조방법
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제 8항에 있어서,복수의 상기 전계제한링은 상기 주 접합으로부터 멀어질수록 깊이가 선형적으로 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 전계제한링이 형성된 전력반도체용 소자 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 전계제한링이 에칭되기 위해 사용되는 산화막을 경사지게 형성함으로써 상기 전계제한링의 깊이가 선형적으로 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 전력반도체용 소자 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 산화막은 습식식각을 통해 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 전력반도체용 소자 제조방법
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제 8항에 있어서,복수의 상기 전계제한링은 상기 주 접합으로부터 멀어질수록 상기 전계제한링 간의 간격이 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 전계제한링이 형성된 전력반도체용 소자 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 전계제한링은 0
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제 8항에 있어서,상기 전계제한링은 이온 주입 공정을 통해 형성되며, 1×1017/㎤ 내지 5×1018/㎤의 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 전계제한링이 형성된 전력반도체용 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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국가 R&D 정보가 없습니다.