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Ti 확산도파로가 형성된 LiNbO3 기판을 SF6가스 및 He가스를 이용한 식각공정을 통하여 표면 굴절률을 낮추는데, 상기 식각공정은 상기 SF6가스 및 He가스를 교대로 투입하면서 상기 LiNbO3 기판의 표면에 확산된 Li을 식각하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 LiNbO3 기판은 X축에 수직하게 잘려진 X컷 LiNbO3 기판인 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 식각공정은 10 내지 30sccm 범위의 일정 속도로 3 내지 10초 범위의 일정 시간 동안 상기 SF6가스를 투입하여 식각한 다음, 70 내지 90sccm 범위의 일정속도로 5 내지 15초 범위의 일정 시간 동안 상기 He가스를 투입하여 식각하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 식각공정을 1사이클로 하여 40 내지 110 범위의 일정 사이클의 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 식각공정 후 상기 LiNbO3 기판의 표면 굴절률은 2
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LiNbO3 기판 상에 Ti층을 증착하는 단계;상기 Ti층 상에 포토레지스트(PR)패턴을 형성하고, 상기 PR 패턴을 이용하여 상기 TI층을 식각하는 단계;열처리공정을 수행하여 상기 LiNbO3 기판에 Ti확산도파로를 형성하는 단계; 및 상기 LiNbO3 기판의 표면에 확산된 Li을 제거하기 위하여 상기 LiNbO3 기판의 표면을 식각하는 식각공정단계;를 포함하며,상기 식각공정단계는 상기 SF6가스 및 He가스를 교대로 투입하면서 상기 LiNbO3 기판의 표면에 확산된 Li을 식각하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 LiNbO3 기판은 X축에 수직하게 잘려진 X컷 LiNbO3 기판인 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 식각공정단계는 10 내지 30sccm 범위의 일정 속도로 3 내지 10초 범위의 일정 시간 동안 상기 SF6가스를 투입하여 식각한 다음, 70 내지 90sccm 범위의 일정속도로 5 내지 15초 범위의 일정 시간 동안 상기 He가스를 투입하여 식각하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 식각공정을 1사이클로 하여 40 내지 60 범위의 일정 사이클의 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 식각공정 후 상기 LiNbO3 기판의 표면 굴절률은 2
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제 6항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 식각공정단계 후, 상기 LiNbO3 기판상에 SiO2 버퍼층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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