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광변조기용 리튬나오베이트(LiNbO3)기판의 제조 방법(Method of manufacturing of LiNbO3 substrate for optical modulator)

  • 기술번호 : KST2017007558
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 Ti 확산도파로가 형성된 LiNbO3 기판을 SF6가스 및 He가스를 이용한 식각공정을 통하여 표면 굴절률을 낮춘 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조방법에 의하면 SF6가스 및 He가스를 교대로 투입하면서 식각함으로써 짧은 시간에 Li를 제거할 수 있어 공정시간을 단축할 수 있을 뿐만 아니라, LiF와 같은 부산물을 형성하지 않는 효과가 있다.
Int. CL G02B 6/136 (2015.12.04) G02B 6/12 (2015.12.04)
CPC G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01)
출원번호/일자 1020150147775 (2015.10.23)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0047543 (2017.05.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영백 대한민국 광주광역시 남구
2 정현택 대한민국 광주광역시 서구
3 하태원 대한민국 광주광역시 광산구
4 허기석 대한민국 광주광역시 북구
5 최범호 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1029872-43
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0181329-97
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0403260-30
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0403261-86
5 등록결정서
Decision to grant
2017.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0620550-02
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ti 확산도파로가 형성된 LiNbO3 기판을 SF6가스 및 He가스를 이용한 식각공정을 통하여 표면 굴절률을 낮추는데, 상기 식각공정은 상기 SF6가스 및 He가스를 교대로 투입하면서 상기 LiNbO3 기판의 표면에 확산된 Li을 식각하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 LiNbO3 기판은 X축에 수직하게 잘려진 X컷 LiNbO3 기판인 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 식각공정은 10 내지 30sccm 범위의 일정 속도로 3 내지 10초 범위의 일정 시간 동안 상기 SF6가스를 투입하여 식각한 다음, 70 내지 90sccm 범위의 일정속도로 5 내지 15초 범위의 일정 시간 동안 상기 He가스를 투입하여 식각하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 식각공정을 1사이클로 하여 40 내지 110 범위의 일정 사이클의 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 식각공정 후 상기 LiNbO3 기판의 표면 굴절률은 2
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LiNbO3 기판 상에 Ti층을 증착하는 단계;상기 Ti층 상에 포토레지스트(PR)패턴을 형성하고, 상기 PR 패턴을 이용하여 상기 TI층을 식각하는 단계;열처리공정을 수행하여 상기 LiNbO3 기판에 Ti확산도파로를 형성하는 단계; 및 상기 LiNbO3 기판의 표면에 확산된 Li을 제거하기 위하여 상기 LiNbO3 기판의 표면을 식각하는 식각공정단계;를 포함하며,상기 식각공정단계는 상기 SF6가스 및 He가스를 교대로 투입하면서 상기 LiNbO3 기판의 표면에 확산된 Li을 식각하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 LiNbO3 기판은 X축에 수직하게 잘려진 X컷 LiNbO3 기판인 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 식각공정단계는 10 내지 30sccm 범위의 일정 속도로 3 내지 10초 범위의 일정 시간 동안 상기 SF6가스를 투입하여 식각한 다음, 70 내지 90sccm 범위의 일정속도로 5 내지 15초 범위의 일정 시간 동안 상기 He가스를 투입하여 식각하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 식각공정을 1사이클로 하여 40 내지 60 범위의 일정 사이클의 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 식각공정 후 상기 LiNbO3 기판의 표면 굴절률은 2
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제 6항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 식각공정단계 후, 상기 LiNbO3 기판상에 SiO2 버퍼층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광변조기용 LiNbO3 기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.