맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

질화물계 발광 소자 및 이의 제조방법(n-type nitride-based light emitting device and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2017007564
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 ｎ형 질화물계 발광 소자는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성되고, 진입하는 광을 반사시키는 반사성 p형 오믹 컨택 전극체, 상기 오믹 컨택 전극체 상에 형성된 p형 질화물계 클래드층, 상기 p형 질화물계 클래드층에 마주보도록 형성된 n형 질화물계 클래드층, 상기 클래드층들 사이에 개재된 질화물계 활성층 및 상기 n형 질화물계 클래드층 상에 형성되고, 주석 박막/알루미늄 박막을 갖는 다층 박막 구조로 이루어진 n형 전극체를 포함한다.
Int. CL H01L 33/36 (2015.12.08) H01L 33/00 (2015.12.08)
CPC H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01)
출원번호/일자 1020150148792 (2015.10.26)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0047990 (2017.05.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.26)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강태욱 대한민국 서울특별시 광진구
2 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
3 김대현 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-1038101-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0136430-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0751955-83
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-1244872-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0060434-87
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0060456-81
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0328850-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판;상기 투명 기판 상에 형성되고, 진입하는 광을 반사시키는 반사성 p형 오믹 컨택 전극체;상기 오믹 컨택 전극체 상에 형성된 p형 질화물계 클래드층;상기 p형 질화물계 클래드층에 마주보도록 형성된 n형 질화물계 클래드층;상기 클래드층들 사이에 개재된 질화물계 활성층; 및상기 n형 질화물계 클래드층 상에 형성되고, 주석 박막/알루미늄 박막을 갖는 다층 박막 구조로 이루어진 n형 전극체를 포함하는 n형 질화물계 발광 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 주석 박막은 나노 점 또는 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 n형 질화물계 발광 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 n형 질화물계 클래드층 및 p형 질화물계 클래드층은 각각 n-GaN 및 p-GaN 인 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 n형 질화물계 발광 소자
4 4
성장 기판 상에 n형 질화물계 클래드층, 질화물계 활성층, 및 p형 질화물계 클래드층을 순차적으로 성장시키는 단계;상기 p형 질화물계 클래드층 상면에 반사성 p형 오믹접촉 전극체를 형성하는 단계;투명 기판을 상기 반사성 p형 오믹접촉 전극체 상면에 형성하는 단계; 상기 성장 기판을 n형 질화물계 클래드층으로부터 분리하는 단계; 및상기 n형 질화물계 클래드층의 상면에 n형 전극체를 형성하는 단계를 포함하고,상기 n형 전극체를 형성하는 단계는 주석 박막/알루미늄 박막의 다층 박막 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 n형 질화물계 발광 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 주석 박막/알루미늄 박막은 열 기화 공정, 이온빔 기화 공정, 스퍼터링 공정 또는 펄스 레이저 증착 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 n형 질화물계 발광 소자의 제조 방법
6 6
투명 기판 상에 p형 질화물계 클래드층, 질화물계 활성층, 및 n형 질화물계 클래드층을 순차적으로 성장시키는 단계;상기 n형 질화물계 클래드층 및 질화물계 활성층을 메사 식각하여 상기 n형 질화물계 클래드층을 부분적으로 노출시키는 단계; 및상기 p형 질화물계 클??드층의 상면 및 상기 노출된 n형 질화물계 클래드층의 상면에 p형 전극체 및 n형 전극체를 각각 형성하는 단계를 포함하고,상기 n형 전극체를 형성하는 단계는 주석 박막/알루미늄 박막의 다층 박막 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 n형 질화물계 발광 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 주석 박막/알루미늄 박막은 열 기화 공정, 이온빔 기화 공정, 스퍼터링 공정 또는 펄스 레이저 증착 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 n형 질화물계 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.