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투명 전자 디바이스 및 그 제조 방법(TRANSPARENT ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017007674
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기판; 상기 기판의 상면에 일정 이격 거리를 두고 반복적으로 형성된 스트라이프 형상의 나노 보조 전극; 상기 기판과 상기 나노 보조 전극을 포함하는 상면에 형성된 초박막 금속 전극; 상기 초박막 금속 전극 상면에 형성된 유기층; 및 상기 유기층의 상면에 형성되는 음극층을 포함하여 구성되고,상기 초박막 금속 전극은 시드층과 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 51/52 (2015.12.09) H01L 51/50 (2015.12.09) H01L 29/41 (2015.12.09) H01L 51/56 (2015.12.09) H01L 51/42 (2015.12.09)
CPC H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01)
출원번호/일자 1020150149549 (2015.10.27)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0049691 (2017.05.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.27)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조관현 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 임중혁 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 강경태 대한민국 서울특별시 서초구
4 이상호 대한민국 서울특별시 동작구
5 강희석 대한민국 서울특별시 강남구
6 황준영 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-1043769-77
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0146269-80
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0413175-36
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0413185-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0594397-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1054516-60
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-1054494-43
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0154209-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 상면에 일정 이격 거리를 두고 반복적으로 형성된 스트라이프 형상의 나노 보조 전극;상기 기판과 상기 나노 보조 전극을 포함하는 상면에 형성된 초박막 금속 전극;상기 초박막 금속 전극 상면에 형성된 유기층; 및상기 유기층의 상면에 형성되는 음극층을 포함하여 구성되고,상기 초박막 금속 전극은 Al로 형성된 시드층과 Ag로 형성된 금속층을 포함하되,상기 Ag로 형성된 금속층은 4 ~ 10nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스
2 2
청구항 1에 있어서,상기 나노 보조 전극은 100 ~ 1000 nm의 주기로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서,상기 초박막 금속 전극과 유기층 간에 형성된 정공 주입층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스
6 6
청구항 5에 있어서,상기 정공 주입층은 산화몰리브덴, 산화아연, 산화은, 산화니켈 및 산화텅스텐으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스
7 7
청구항 1에 있어서,상기 유기층은 정공 운송층, 발광층, 전자 운송층 및 전자 주입층이 순서대로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스
8 8
청구항 1에 있어서,상기 유기층은 정공 운송층, 광활성층, 전자 운송층 및 전자 주입층을 포함하여 구성되는 태양전지용 유기 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스
9 9
기판 상부에 고전도성 물질을 패터닝하여 나노 보조 전극을 형성하는 단계(단계 a);상기 기판과 상기 나노 보조 전극을 포함하는 상면에 초박막 금속 전극을 형성하는 단계(단계 b);상기 초박막 금속 전극 상면에 유기층을 형성하는 단계(단계 c); 및상기 유기층의 상면에 음극층을 형성하는 단계(단계 d)를 포함하고,상기 초박막 금속 전극 형성 단계는 시드층 형성 단계 및 금속층 형성 단계를 포함하며,상기 시드층 형성 단계는 Al을 이용하여 박막을 형성하는 방법으로 수행하고,상기 금속층 형성 단계는 Ag을 이용하여 4 ~ 10nm 두께의 박막을 형성하는 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스의 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 단계 a는 100 ~ 1000 nm의 주기로 스트라이프 형상의 나노 보조 전극을 형성하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스의 제조 방법
11 11
청구항 9에 있어서,상기 단계 b는 진공 열 증착 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
청구항 9에 있어서,상기 단계 b와 단계 c 사이에 정공 주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스의 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 정공 주입층 형성 단계는 산화몰리브덴, 산화아연, 산화은, 산화니켈 및 산화텅스텐으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 박막을 형성하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스의 제조 방법
16 16
청구항 9에 있어서, 상기 단계 c는 정공 운송층, 발광층, 전자 운송층 및 전자 주입층을 순서대로 적층하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스의 제조 방법
17 17
청구항 9에 있어서,상기 단계 c는 정공 운송층, 광활성층, 전자 운송층 및 전자 주입층을 포함하여 구성되는 태양전지용 유기 재료를 이용하여 유기층을 형성하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 투명 전자 디바이스의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.