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전극 구조물, 이의 형성 방법 및 이를 포함하는 반도체 발광 소자(ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FORMING THE SAME AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017007770
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전극 구조물은 반도체층 및 상기 반도체층 상에 형성되며, 금속 패턴들 사이로 정의되는 메쉬 형상을 가지며, 상기 금속 패턴들을 이루는 금속 물질의 응집 현상을 통하여 상기 금속 패턴들 각각의 내부에 구비된 광투과 윈도우를 포함하는 금속 전극을 포함한다. 이로써, 광투과 효율 및 오믹 콘택 특성이 개선될 수 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2015.12.15) H01L 33/00 (2015.12.15) H01L 21/324 (2015.12.15)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020150153682 (2015.11.03)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0051945 (2017.05.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 김준용 대한민국 경기도 고양시 일산서구
3 박재성 대한민국 경기도 동두천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-1068471-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0158487-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0874933-85
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0113912-21
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0113877-10
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0445182-97
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.07.27 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2017-0725489-41
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0725498-52
10 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2017.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0582997-15
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0583030-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체층; 및상기 반도체층 상에 형성되며, 금속 패턴들 사이로 정의되는 메쉬 형상을 가지며, 상기 금속 패턴들을 이루는 금속 물질의 응집 현상을 통하여 상기 금속 패턴들 각각의 내부에 구비된 광투과 윈도우를 포함하는 금속 전극을 포함하는 전극 구조물
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체층 및 상기 금속 전극은 상호 오믹 컨택을 이루는 것을 특징으로 하는 전극 구조물
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 전극은 상기 반도체층 상에 형성된 금속 물질에 대하여 열처리 공정을 통하여 응집시켜 형성된 것을 특징으로 하는 전극 구조물
4 4
제1항에 있어서, 상기 메쉬 형상은 다각형 형상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 구조물
5 5
제1항에 있어서, 상기 금속 물질은 실버(Ag)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 구조물
6 6
반도체층을 준비하는 단계; 상기 반도체층 상에 금속 물질로 이루어지며 메쉬 형상을 갖는 금속 패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 물질을 응집시켜, 상기 금속 패턴으로부터 그 내부에 광투과 윈도우를 구비하는 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전극 구조물의 형성 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 금속 물질은 실버(Ag)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 구조물의 형성 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 금속 전극을 형성하는 단계는 상기 금속 물질을 열처리 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전극 구조물의 형성 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 열처리 공정은 400 내지 600°C의 온도에서 30초 내지 120초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 전극 구조물의 형성 방법
10 10
기판;상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층의 상부에 형성된 p형 반도체층;상기 n형 및 p형 반도체층들 사이에 형성된 활성층;상기 n형 반도체층의 노출 표면에 형성된 n형 전극; 및상기 p형 반도체층 상에 형성되며, 금속 패턴들 사이로 정의되는 메쉬 형상을 가지며, 상기 금속 패턴들을 이루는 금속 물질의 응집 현상을 통하여 상기 금속 패턴들 각각의 내부에 구비된 광투과 윈도우를 포함하는 금속 전극을 p형 금속 전극을 포함하는 반도체 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.