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절연성 기판;상기 절연성 기판 상의 반도체층;상기 반도체층 상에 배치되고, 상기 절연성 기판의 일면과 평행한 제 1 방향으로 상호 이격되는 절연층들;상기 절연층들 상에 배치되는 금속 박막들, 상기 금속 박막들의 각각은 상기 절연층과 오버랩되는 제 1 부분, 및 상기 제 1 부분으로부터 상기 제 1 방향 또는 상기 제 1 방향의 반대 방향으로 연장되어 상기 반도체층과 연결되는 제 2 부분들을 포함하고; 및상기 반도체층과 상기 제 2 부분들 사이의 금속-반도체 화합물층들을 포함하되,서로 인접한 상기 금속 박막들의 마주하는 상기 제 2 부분들은 서로 이격되는 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 절연층들은 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 라인 형태를 갖고, 상기 금속 박막들은 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향을 따라 배치되어 복수의 행과 열을 이루는 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 그의 내부에 형성되고, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장하여 평면적으로 상기 금속 박막들의 상기 제 1 부분들을 가로지르는 트렌치들을 포함하는 열전 소자
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제 3 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 반도체층을 관통하여 상기 절연성 기판의 일면을 노출시키는 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 p 형 또는 n 형의 도전형을 갖는 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 0
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제 1 항에 있어서,상기 마주하는 제 2 부분들 사이의 이격 거리는 10 내지 100 나노미터인 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 실리콘(Si)을 포함하고,상기 금속 박막들은 백금(pt), 타이타늄(Ti), 코발트(Co), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브데넘(Mo), 탄탈럼(Ta), 망간(Mn), 철(Fe), 루테늄(Ru), 마그네슘(Mg), 어븀(Er), 금(Au), 은(Ag) 및 이들의 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 열전 소자
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제 8 항에 있어서,상기 금속-반도체 화합물층들은 금속 실리사이드를 포함하는 열전 소자
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제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 1 전극 및 제 2 전극;상기 제 1 전극 상에 배치되는 제 1 레그;상기 제 2 전극 상에 배치되는 제 2 레그;상기 제 1 레그 및 상기 제 2 레그 상에 배치되는 제 3 전극;상기 제 3 전극 상에 배치되는 제 2 기판을 포함하되,상기 제 1 및 제 2 레그들 각각은 제 1 항의 열전 소자를 포함하되,상기 제 1 및 제 2 레그들 각각의 상기 반도체층은 서로 다른 도전형을 갖는 열전 모듈
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