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기판 상에 형성된 에피층을 포함하는 레이저 다이오드 칩;상기 레이저 다이오드 칩에서 발생되는 열을 감쇄하기 위한 히트싱크;상기 레이저 다이오드 칩과 상기 히트싱크를 접합하기 위한 솔더층; 및상기 에피층 상에 형성되는 오믹층을 포함하고,상기 솔더층은, AuSn으로 구성되고, 두께는 1
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제1항에 있어서,상기 히트싱크는, 금속블록 및 상기 금속블록과 솔더층을 차단하는 배리어 금속을 포함하되,상기 금속블록은 Cu, W 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 배리어 금속은 Ni을 포함하는 것을 특징으로 하는 에피-사이드 다운 마운팅된 히트싱크를 포함하는 레이저 다이오드
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제4항에 있어서,상기 배리어 금속의 두께는 0
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기판 상에 형성된 에피층을 포함하는 레이저 다이오드 칩을 준비하는 단계;솔더층이 증착된 금속블록을 준비하는 단계;상기 에피층과 상기 솔더층이 서로 향하도록 정렬하는 단계;상기 금속블록을 가열하는 단계; 및상기 가열에의해 솔더층이 액체상태가 되면, 상기 레이저 다이오드 칩과 상기 금속블록이 접촉하도록 상기 레이저 다이오드 칩과 상기 금속블록을 누르는 단계를 포함하되,상기 솔더층은 AuSn으로 구성되고, 두께는 1
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7
제6항에 있어서,상기 가열하는 단계는, 280 ℃ 내지 320℃인 것을 특징으로 하는 에피-사이드 다운 마운팅된 히트싱크를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법
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제7항에 있어서,상기 가열하는 단계는, 불활성 기체를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피-사이드 다운 마운팅된 히트싱크를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법
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제8항에 있어서,상기 불활성 기체는 질소 기체인 것을 특징으로 하는 에피-사이드 다운 마운팅된 히트싱크를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법
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제6항에 있어서,상기 레이저 다이오드 칩과 상기 금속블록을 누르는 단계는,2분 내지 3분 동안, 4kgf/cm2 내지 6kgf/cm2 압력으로 누르는 것을 특징으로 하는 에피-사이드 다운 마운팅된 히트싱크를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법
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제6항에 있어서,상기 히트싱크는, 금속블록 및 상기 금속블록과 솔더층을 차단하는 배리어 금속을 포함하되,상기 금속블록은 Cu, W 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 배리어 금속은 Ni을 포함하는 것을 특징으로 하는 에피-사이드 다운 마운팅된 히트싱크를 포함하는 레이저 다이오드 제조방법
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제13항에 있어서,상기 배리어 금속의 두께는 0
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