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하기 화학식 1로 표현되는 전자방출 물질
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제1항에 있어서, 표면에 Hf-O 화합물 층을 더 포함하는 전자방출 물질
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제2항에 있어서, 상기 Hf-O 화합물 층은 0
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4
제1항에 있어서, 상기 Hf2+xS 분말 표면에 Hf-S-O 화합물 층을 더 포함하는 전자방출 물질
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5
제4항에 있어서, 상기 Hf-S-O 화합물 층은 0
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6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 전자방출 물질 분말을 표면에 노출되게 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 이미터
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7
제6항에 따른 전자 이미터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 형광관
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8
Hf 분말 및 S 분말을 혼합한 후 500 내지 600 oC의 온도로 3일 내지 4일 동안 열처리하여 화합물 원료를 얻는 제1 단계; 및상기 제1 단계에서 얻어진 화합물 원료를 용융하고 냉각하는 제2 단계를 포함하는 전자방출 물질 제조방법
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9
제8항에 있어서, 상기 용융은 비활성 기체 분위기에서 진행되는 것을 특징으로 하는 전자방출 물질 제조방법
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10
제8항에 있어서, 상기 제2 단계는 1회 또는 2회 이상 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 전자방출 물질 제조방법
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11
제8항에 있어서, 제조된 전자방출 물질을 볼 밀링, 어트리션 밀링, 고에너지 밀링, 제트 밀링 또는 막자 사발을 이용한 분쇄의 방법으로 분말화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 물질 제조방법
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12
제8항에 있어서, 제조된 전자방출 물질을 가스 원자화에 의해 분말화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 물질 제조방법
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13
제8항에 있어서, 상기 제1 단계에서 상기 Hf 분말은 상기 S 분말 1몰 대비 2 내지 2
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