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(a) 초음파 조사를 이용하여 아연전구체, 실버전구체, 인듐전구체 및 가황제로부터 아연-실버-인듐-설파이드의 조성을 갖는 발광 나노입자 코어를 제조하는 단계, (b) 제조된 상기 발광 나노입자 코어에 아연 성분과 황 성분을 포함하는 화합물을 더 첨가하고 초음파를 조사하는 단계, (c) 상기 단계 (b)의 초음파가 조사된 나노입자를 세척 및 분산하는 단계를 통해, 하기 화학식의 코어 구조만을 가지는 아연-실버-인듐-설파이드 나노입자를 제조하는 방법:(Znx+aAgyInz)S2+b상기 식에서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1이며, 0003c#a003c#0
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계의 아연전구체, 실버전구체, 인듐전구체는 각각 아연, 실버, 인듐을 포함하는 질산염, 탄산염, 염화염, 인산염, 붕산염, 산화염, 술폰산염, 황산염, 스테아린산염, 미리스틴산염 및 초산염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속염인 것을 특징으로 하는 아연-실버-인듐-설파이드 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 아연전구체, 실버전구체, 인듐전구체 및 가황제는 옥틸에테르, 부틸에테르, 헥실에테르, 벤질에테르, 페닐에테르, 데실에테르, 헥산, 톨루엔, 크실렌, 클로로벤조익산, 벤젠, 헥사데신, 테트라데신, 옥타데신, 옥틸알콜, 데카놀, 헥사데카놀, 에틸렌글리콜, 1,2-옥테인디올, 1,2-도데케인디올, 1,2-헥사데케인디올, 도데실아민, 헥사데실아민, 옥틸아민, 트리옥틸아민, 디메틸옥틸아민, 및 디메틸도데실아민으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 용매에 용해되어 금속 전구체 용액을 형성한 후, 초음파 조사에 제공되는 것을 특징으로 하는 아연-실버-인듐-설파이드 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 아연 성분과 황 성분을 포함하는 화합물은 아연 디에틸디티오카바메이트 또는 아연 디메틸디티오카바메이트인 것을 특징으로 하는 아연-실버-인듐-설파이드 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 아연 성분과 황 성분을 포함하는 화합물은 아연 아세테이트, 아연 운데실레네이트, 아연 스테아레이트, 아연 아세틸아세토네이트, 아연 나이트레이트 및 아연 클로라이드로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 아연 함유 화합물과, 황, 디에틸디티오카바메이트 및 디메틸디티오카바메이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 황 함유 화합물인 것을 특징으로 하는 아연-실버-인듐-설파이드 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 및 (b) 단계에서 초음파 조사는 2 ∼ 200 kHz의 범위 내에서 조사하는 것을 특징으로 하는 아연-실버-인듐-설파이드 나노입자를 제조하는 방법
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제6항에 있어서,상기 초음파 조사는 1분 ~ 12시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 아연-실버-인듐-설파이드 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 나노입자의 세척은 에탄올, 메탄올, 옥틸알콜, 헥산, 톨루엔 및 클로로포름으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 용매를 이용하여 실시하고, 분산은 헥산, 톨루엔 또는 클로로포름에 나노입자를 분산하는 것을 특징으로 하는 아연-실버-인듐-설파이드 나노입자를 제조하는 방법
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제1항 내지 제8항에 따른 제조방법으로 제조된, 하기 화학식의 코어 구조만을 가지는 아연-실버-인듐-설파이드 나노입자:(Znx+aAgyInz)S2+b상기 식에서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1이며, 0003c#a003c#0
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제9항의 나노입자가 분산된 수지 매트릭스를 포함하는 광학 필름
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제10항에 있어서,상기 수지 매트릭스는 배리어층에 의해 샌드위치되어 있는 광학 필름
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