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하기 화학식 1로 표시되는 화합물의 단독 중합체 또는 공중합체, 또는 이를 하나 이상 포함하는 혼합물이 탄화된 다공성 탄소 구조체를 포함하는 수처리용 막:[화학식 1](상기 화학식 1에서, X는 , , , , , , , , , , , , , , , 및 으로 이루어진 군에서 선택된다)
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제1항에 있어서,상기 수처리용 막은 역삼투압여과 또는 나노여과용인 것을 특징으로 하는 수처리용 막
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제1항에 있어서,상기 수처리용 막의 표면적은 300 m2/g 이상 2000 m2/g 이하인 것을 특징으로 하는 수처리용 막
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제1항에 있어서,상기 수처리용 막의 탄화도는 30 - 65%인 것을 특징으로 하는 수처리용 막
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제1항에 있어서,상기 수처리용 막의 수투과도는 1 - 6 LMH bar-1인 것을 특징으로 하는 수처리용 막
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제1항에 있어서,상기 수처리용 막의 염제거율은 70 - 100%인 것을 특징으로 하는 수처리용 막
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제1항에 있어서,상기 수처리용 막의 표면이 산소 플라즈마 처리된 것을 특징으로 하는 수처리용 막
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하기 화학식 1로 표시되는 화합물의 단독 중합체 또는 공중합체, 또는 이들 고분자가 하나 이상 포함되는 혼합물을 사용하여 필름을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 필름을 탄화시켜 다공성 탄소 구조체를 포함하는 수처리용 막을 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 제1항의 수처리용 막의 제조방법:[화학식 1](상기 화학식 1에서, X는 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같다)
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제8항에 있어서,상기 단계 1은 화학식 1로 표시되는 화합물의 단독 중합체 또는 공중합체, 또는 이들 고분자가 하나 이상 포함되는 혼합물 용액을 기판에 코팅하는 단계 (단계 a); 및상기 단계 a에서 상기 코팅된 용액을 건조시켜 필름을 제조하는 단계(단계 b);를 포함하는 것을 특징으로 하는 수처리용 막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 단독 중합체 또는 공중합체, 또는 이들 고분자가 하나 이상 포함되는 혼합물 용액의 농도는 0
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제8항에 있어서,상기 단계 2의 탄화는 400 - 3000 ℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 수처리용 막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 단계 2 수행 후, 수처리용 막의 표면을 산소 플라즈마 처리하는 단계를 더 수행할 수 있는 것을 특징으로 하는 수처리용 막의 제조방법
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제1항의 수처리용 막을 사용하는 단계를 포함하는 수처리 방법
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