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베이스 기판; 및상기 베이스 기판 상에 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층;을 포함하고,상기 제 1 영역은 상기 베이스 기판의 측방향으로 연속적으로 연결된 막 구조를 형성하며, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역 상에 형성된 복수의 기둥 구조를 가지는, 반사방지 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 연속적으로 연결된 막 구조는 20 nm 내지 50 nm의 두께를 가지는, 반사방지 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 기둥 구조는 상기 베이스 기판의 측방항으로 소정의 거리로 이격되어 배치되는, 반사방지 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 접촉각은 70도 내지 90도의 범위를 가지는, 반사방지 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 접촉각은 90도를 넘는 둔각을 가지는, 반사방지 구조체
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제 1 항에 있어서,각각의 상기 기둥 구조가 상기 제 1 영역과 맞닿는 단면적의 최대 길이(A)와 상기 기둥 구조의 최대 높이(B)의 비(A/B)는 1 내지 2인, 반사방지 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판은 불소계 투명 폴리머, 아크릴계 투명 폴리머, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는, 반사방지 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 반사방지층은 회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어진, 반사방지 구조체
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 경계에서 계면을 형성하지 않으면서 일체를 이루는 동일한 물질로 이루어진, 반사방지 구조체
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 경계에서 계면을 형성하면서 동일한 물질로 이루어진, 반사방지 구조체
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 경계에서 계면을 형성하면서 서로 상이한 물질로 이루어진, 반사방지 구조체
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베이스 기판을 준비하는 단계; 및상기 베이스 기판 상에 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 영역은 상기 베이스 기판의 측방향으로 연속적으로 연결된 막 구조를 형성하며, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역 상에 형성된 복수의 기둥 구조를 가지는, 반사방지층 구조체의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 연속적으로 연결된 막 구조는 20 nm 내지 50 nm의 두께를 가지는, 반사방지층 구조체의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;는회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어진 상기 제 1 영역을 형성하는 단계; 및회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어진 상기 제 2 영역을 형성하는 단계;를 포함하는, 반사방지층 구조체의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;는회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 상기 제 1 영역을 형성하는 단계; 및회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 상기 제 2 영역을 형성하는 단계;를 포함하는, 반사방지층 구조체의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;는스퍼터링 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어진 상기 제 1 영역을 형성하는 단계; 및회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어진 상기 제 2 영역을 형성하는 단계;를 포함하는, 반사방지층 구조체의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;는스퍼터링 공정으로 상기 제 1 영역을 형성하는 단계; 및회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 상기 제 2 영역을 형성하는 단계;를 포함하는, 반사방지층 구조체의 제조방법
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