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전기 에너지로 방전기체를 플라즈마 아크의 열 에너지로 변환하고 일측으로 유입되는 처리기체를 열 에너지로 가열하는 플라즈마 반응부; 및상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 유입하여 촉매 반응으로 처리기체에 포함된 오염물질을 분해하는 촉매 반응부를 포함하며,상기 플라즈마 반응부는일측에 제1유입구와 제2유입구를 구비하여 방전기체와 처리기체를 유입하고 좁아지는 목부를 형성하는 하우징, 및상기 하우징 내에 절연 장착되고 구동 전압이 인가되는 전극을 포함하며,상기 하우징은상기 목부에 연결되어 확장된 공간을 형성하고 전기적으로 접지되어 상기 전극에 연결되는 회전 아크를 길게 유도하는 확장부를 더 포함하고,상기 하우징은상기 목부를 중심으로 상기 전극 측에서 좁아지는 직경보다 상기 확장부에서 확장되는 직경을 더 크게 형성하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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전기 에너지로 방전기체를 플라즈마 아크의 열 에너지로 변환하고 일측으로 유입되는 처리기체를 열 에너지로 가열하는 플라즈마 반응부; 및상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 유입하여 촉매 반응으로 처리기체에 포함된 오염물질을 분해하는 촉매 반응부를 포함하며,상기 촉매 반응부는,가열된 처리기체가 흐르는 길이 방향으로 온도 편차를 해소하는 온도 편차 제거부를 더 포함하고, 하우징에 내장되는 촉매를 포함하며,상기 온도 편차 제거부는,상기 촉매 내에서 상기 길이 방향으로 배치되고 복수의 기체 통로들을 구비하는 튜브를 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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제2항에 있어서,상기 튜브는상기 길이 방향의 끝을 폐쇄하여 형성되는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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제1항에 있어서,상기 촉매 반응부는,가열된 처리기체가 흐르는 길이 방향으로 온도 편차를 해소하는 온도 편차 제거부를 더 포함하고, 하우징에 내장되는 촉매를 포함하며,상기 온도 편차 제거부는,상기 하우징의 외주에 배치되는 RF 유도 코일을 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 반응부와 상기 촉매 반응부 사이에 배치되어, 상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 상기 촉매 반응부에 균일한 분포로 제어하는 유동 제어부를 더 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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전기 에너지로 방전기체를 플라즈마 아크의 열 에너지로 변환하고 일측으로 유입되는 처리기체를 열 에너지로 가열하는 플라즈마 반응부; 및상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 유입하여 촉매 반응으로 처리기체에 포함된 오염물질을 분해하는 촉매 반응부를 포함하며,상기 플라즈마 반응부와 상기 촉매 반응부 사이에 배치되어, 상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 상기 촉매 반응부에 균일한 분포로 제어하는 유동 제어부를 더 포함하고,상기 유동 제어부는상기 플라즈마 반응부와 상기 촉매 반응부를 연결하는 하우징, 및상기 하우징 내에 배치되어 유동을 제어하는 유동판을 포함하며,상기 유동판은상기 플라즈마 반응부 측에 평면으로 형성되어 중앙에 최소 직경부를 구비하고, 상기 최소 직경부에서 단계적으로 확산되어 처리기체의 흐름을 균일하게 하도록 상기 촉매 반응부 측에 최대 직경부를 형성하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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전기 에너지로 방전기체를 플라즈마 아크의 열 에너지로 변환하고 일측으로 유입되는 처리기체를 열 에너지로 가열하는 플라즈마 반응부; 및상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 유입하여 촉매 반응으로 처리기체에 포함된 오염물질을 분해하는 촉매 반응부를 포함하며,상기 플라즈마 반응부와 상기 촉매 반응부 사이에 배치되어, 상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 상기 촉매 반응부에 균일한 분포로 제어하는 유동 제어부를 더 포함하고,상기 유동 제어부는상기 플라즈마 반응부와 상기 촉매 반응부를 연결하는 하우징,상기 하우징 내에 배치되어 통로를 형성하는 유동판, 및상기 유동판의 일측에서 상기 통로보다 좁은 미세 통로로 형성되어 처리기체의 흐름을 균일하게 하는 스트레이트너를 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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제1항에 있어서,상기 촉매 반응부의 외곽에 구비되어 상기 촉매 반응부를 가열하는 히터를 더 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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9
제1항에 있어서,상기 촉매 반응부의 후단에 구비되어 상기 플라즈마 반응부로 유입되는 상기 처리기체를 경유시켜 열을 회수하는 열교환부를 더 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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10
제1항에 있어서,상기 촉매 반응부의 후단에 구비되어 상기 촉매 반응부에서 처리기체로부터 분해된 오염물질에 물을 분사하여 분해된 오염물질을 물로 고정 처리하는 수처리부를 더 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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삭제
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삭제
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제2항에 있어서,상기 플라즈마 반응부는일측이 폐쇄된 원통으로 형성되고 구동 전압이 인가되는 전극, 및상기 전극에 연결되고 전기적으로 접지되어 방전갭을 형성하며 상기 방전갭 측에 제1유입구를 구비하여 방전기체를 유입하는 하우징을 포함하며,상기 하우징은상기 전극의 반대측에서 확장된 공간을 형성하는 확장부를 더 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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제13항에 있어서,상기 하우징은상기 방전갭 측에 제2유입구를 더 구비하여 처리기체를 유입하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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전기 에너지로 방전기체를 플라즈마 아크의 열 에너지로 변환하고 일측으로 유입되는 처리기체를 열 에너지로 가열하는 플라즈마 반응부; 및상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 유입하여 촉매 반응으로 처리기체에 포함된 오염물질을 분해하는 촉매 반응부를 포함하며,상기 플라즈마 반응부는일측이 폐쇄된 원통으로 형성되고 구동 전압이 인가되는 전극, 및상기 전극에 연결되고 전기적으로 접지되어 방전갭을 형성하며 상기 방전갭 측에 제1유입구를 구비하여 방전기체를 유입하는 하우징을 포함하고,상기 하우징은상기 전극의 반대측에서 확장된 공간을 형성하는 확장부를 더 포함하며,상기 하우징은 상기 확장부 측에 제2유입구를 더 구비하여 처리기체를 유입하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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전기 에너지로 방전기체를 플라즈마 아크의 열 에너지로 변환하고 일측으로 유입되는 처리기체를 열 에너지로 가열하는 플라즈마 반응부; 및상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 유입하여 촉매 반응으로 처리기체에 포함된 오염물질을 분해하는 촉매 반응부를 포함하고,상기 플라즈마 반응부는일측이 폐쇄된 원통으로 형성되고 제1유입구와 제2유입구를 구비하여 방전기체와 처리기체를 각각 유입하는 하우징, 및상기 하우징의 외주에 배치되는 RF 유도 코일을 포함하며,상기 하우징은상기 RF 유도 코일의 반대측에서 확장된 공간을 형성하는 확장부를 더 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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전기 에너지로 방전기체를 플라즈마 아크의 열 에너지로 변환하고 일측으로 유입되는 처리기체를 열 에너지로 가열하는 플라즈마 반응부; 및상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 유입하여 촉매 반응으로 처리기체에 포함된 오염물질을 분해하는 촉매 반응부를 포함하고,상기 플라즈마 반응부는일측이 폐쇄된 원통으로 형성되고 제1유입구를 구비하여 방전기체를 유입하는 하우징, 및상기 하우징의 외주에 배치되는 RF 유도 코일을 포함하며,상기 하우징은상기 RF 유도 코일의 반대측에서 확장된 공간을 형성하고, 제2유입구를 구비하여 처리기체를 유입하는 확장부를 더 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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전기 에너지로 방전기체를 플라즈마 아크의 열 에너지로 변환하고 일측으로 유입되는 처리기체를 열 에너지로 가열하는 플라즈마 반응부; 및상기 플라즈마 반응부에서 가열된 처리기체를 유입하여 촉매 반응으로 처리기체에 포함된 오염물질을 분해하는 촉매 반응부를 포함하며,상기 플라즈마 반응부는중심에 길이 방향으로 배치되는 제1전극,상기 제1전극의 외주에 방전갭을 형성하여 길이 방향으로 배치되고 상기 제1전극과의 사이에 제1유입구를 구비하여 방전기체를 유입하는 제2전극, 및원통으로 형성되어 상기 제2전극을 수용하고, 상기 제2전극의 후방에 제2유입구를 구비하여 처리기체를 유입하는 하우징을 포함하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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제18항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극은내부에 냉각수를 순환시키는 냉각수 통로를 구비하는 플라즈마촉매 방식의 스크러버
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