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외부 인덕터와 집적회로의 MOSFET으로 구성된 RF 에너지 하베스팅 회로(Radio Frequency energy harvesting circuit with off-chip inductor and on-chip Metal Oxide Semi-Field Effect Transistor)

  • 기술번호 : KST2017008506
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 RF(Radio Frequency) 에너지 하베스팅 회로에 관한 것으로서, 더 상세하게는 공진 캐패시터를 IC(Integrated Circuit)에 구성된 교차 결합형(cross-coupled) MOSFET(Metal Oxide Semi-Field Effect Transistor) 정류기의 기생 캐패시터(parasitic capacitor)를 이용하여 구성함으로써 커패시턴스 값의 정확도를 높이고 PCB(Printed Circuit Board)상 소자의 사용을 최소화하여 외부적인 오차 요인을 줄이는 RF 에너지 하베스팅 회로에 대한 것이다.
Int. CL H02J 17/00 (2015.12.08) H02M 7/162 (2015.12.08)
CPC H02J 50/00(2013.01) H02J 50/00(2013.01)
출원번호/일자 1020150149675 (2015.10.27)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0048949 (2017.05.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.27)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양동원 대한민국 대전광역시 유성구
2 김재하 미국 서울특별시 용산구
3 정성엽 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-1044592-61
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0832553-65
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0061832-13
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0165446-19
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0165445-63
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0442427-63
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0819533-90
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0934038-10
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1059154-07
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-1059153-51
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0213322-08
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0411532-21
13 법정기간연장승인서
2018.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0065215-84
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.05.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0520669-01
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0520670-47
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0439417-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
RF(Radio Frequency) 안테나;상기 RF 안테나의 일단에 연결되는 인덕터;상기 인덕터와 연결되어 LC 매칭 회로를 형성하는 복수의 기생 커패시터를 가지도록 온칩상에 형성되며, 상기 LC 매칭 회로를 통해 상기 RF 안테나로부터의 RF 에너지를 이용하여 생성되는 정류 전류를 직류 전류로 변환하는 정류기; 및 상기 직류 전류를 저장하는 저장 커패시터;를 포함하는 RF 에너지 하베스팅 회로
2 2
제 1 항에 있어서,상기 정류기는 교차 결합형 정류기인 것을 특징으로 하는 RF 에너지 하베스팅 회로
3 3
제 2 항에 있어서,상기 교차 결합형 정류기는 4개의 MOSFET(Metal Oxide Semi-Field Effect Transistor)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 RF 에너지 하베스팅 회로
4 4
제 3 항에 있어서,상기 4개의 MOSFET는 비반전 연결되는 2개의 MOSFET와 반전 연결되는 2개의 MOSFET로 이루어지는 것을 특징으로 하는 RF 에너지 하베스팅 회로
5 5
제 1 항에 있어서,상기 복수의 기생 커패시터는 상기 정류기의 입력단과 상기 인덕터의 출력단 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 RF 에너지 하베스팅 회로
6 6
제 4 항에 있어서,상기 복수의 기생 커패시터의 값에 따라 상기 정류기의 사이즈가 결정되는 것을 특징으로 하는 RF 에너지 하베스팅 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.