맞춤기술찾기

이전대상기술

단자외선 영역의 라만 에지 필터 및 이의 제작 방법(Raman Edge filter with Deep-Utra-Violet domain and Mathod for manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2017008522
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 라만 에지 필터 기술에 관한 것으로서, 더 상세하게는 단자외선(Deep-UV) 레이저를 이용하는 라만분광장치에서 화학물 분석을 위한 라만 스펙트럼을 얻기 위하여 광원인 단자외선 레이저 파장을 제거하고 라만(Raman) 산란광은 통과시키는 라만 에지 필터(Raman Edge Filter) 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
Int. CL C23C 14/34 (2016.01.05) C23C 14/16 (2016.01.05) C23C 14/08 (2016.01.05) C23C 14/22 (2016.01.05) C23C 14/04 (2016.01.05)
CPC C23C 14/3442(2013.01) C23C 14/3442(2013.01) C23C 14/3442(2013.01) C23C 14/3442(2013.01) C23C 14/3442(2013.01)
출원번호/일자 1020150164780 (2015.11.24)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0060379 (2017.06.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.24)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 하연철 대한민국 대전광역시 유성구
2 이재환 대한민국 대전광역시 유성구
3 정영수 대한민국 대전광역시 유성구
4 최선경 대한민국 세종특별자치시 달빛
5 고영진 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1146307-35
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-1292446-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0030343-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0004194-68
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0204096-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0324368-86
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0324367-30
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0407402-67
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0671073-62
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.07.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0671074-18
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0539036-66
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
진공 챔버내에 용융 실리카 기판, 고굴절률 유전체 및 저굴절률 유전체를 준비하는 단계;상기 챔버의 내부를 진공상태로 만드는 단계; 및 단자외선 영역의 조사광원 파장을 제거하고 상기 조사광원 파장 이상의 광을 통과시키기 위해 상기 용융 실리카 기판의 표면상에 이온빔 스퍼터링(IBS:Ion Beam Sputtering)을 이용하여 상기 고굴절률 유전체층과 저굴절률 유전체층을 교대로 미리 정해진 반복수에 따라 반복 증착하는 단계;을 포함하는 것을 특징으로 하는 단자외선 영역의 라만 에지 필터 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 고굴절률 유전체층의 물질로는 LaF3, HfO2, Al2O3 및 Sc2O2 중 어느 하나이고, 상기 저굴절률 유전체층의 물질로는 SiO2, MgF2 및 Na3AlF6 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 단자외선 영역의 라만 에지 필터 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 반복수는 200회 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 단자외선 영역의 라만 에지 필터 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 조사광원의 파장은 OD(Optical Density)가 6이상이고, 조사광원 파장이 +4nm에서의 투과율이 50% 이상임을 특징으로 하는 단자외선 영역의 라만 에지 필터 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 이온빔 스퍼터링의 이온빔은 카우프만 식의 이온빔인 것을 특징으로 하는 단자외선 영역의 라만 에지 필터 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 단자외선 영역의 조사광원 파장은 213nm인 것을 특징으로 하는 단자외선 영역의 라만 에지 필터 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 반복 증착의 증착 속도는 상기 고굴절률 유전체층의 경우 0
8 8
용융 실리카 기판;상기 용융 실리카 기판의 표면상에 형성되는 고굴절률 유전체층; 및상기 고굴절률 유전체층의 표면상에 형성되는 저굴절류 유전체층;을 포함하며,상기 고굴절률 유전체층과 저굴절률 유전체층은, 단자외선 영역의 조사광원 파장을 제거하고 상기 조사광원 파장 이상의 광을 통과시키기 위해 상기 용융 실리카 기판의 표면상에 이온빔 스퍼터링(IBS:Ion Beam Sputtering)을 이용하여 교대로 미리 정해진 반복수에 따라 반복 증착되는 것을 특징으로 하는 단자외선 영역의 라만 에지 필터
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20170146711 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2017146711 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.