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표면으로부터 내부로 연속된 기공을 형성하고 랜덤 배열되어 서로 물리적으로 접촉하는 복수의 금속 파이버들을 포함하는 부직포형 집전체;상기 금속 파이버들 상에 스퍼터링 증착된 실리콘 함유 활물질층; 및상기 실리콘 함유 활물질층 상에 스퍼터링 증착되어, 상기 실리콘 함유 활물질층과 전해질 사이의 접촉에 의한 고상 전해질 인터페이스의 형성을 억제 또는 감소시키는 계면 제어층을 포함하며, 상기 계면 제어층은, 주석(Sn), 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나, 이들의 금속간 화합물, 및 이들 중 어느 하나의 산화물을 포함하는 이차 전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 활물질층은 실리콘 및 상기 실리콘과의 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 화합물을 포함하는 이차 전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 계면 제어층의 두께는 0
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제 1 항에 있어서,상기 이차 전지용 전극은 플렉시블 이차 전지에 적용되며, 상기 계면 제어층은 쉘 구조를 갖는 이차 전지용 전극
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기공을 형성하는 금속 파이버들를 포함하는 부직포형 집전체를 플라즈마 반응로 내부에 제공하는 단계;상기 기공을 통하여 상기 금속 파이버들 상에 실리콘 함유 활물질층을 스퍼터링 증착하는 단계; 및상기 실리콘 함유 활물질층 상에 상기 실리콘 함유 활물질층과 전해질 사이의 접촉에 의한 고상 전해질 인터페이스의 형성을 억제 또는 감소시키는 계면 제어층을 스퍼터링 증착하는 단계를 포함하며,상기 계면 제어층은, 주석(Sn), 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나, 이들의 금속간 화합물, 및 이들 중 어느 하나의 산화물을 포함하는 이차 전지용 전극의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 계면 제어층은 금속, 상기 금속의 산화물, 탄소 및 탄소 동소체 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 이차 전지용 전극의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 금속은 주석(Sn), 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 금속간 화합물을 포함하며, 상기 탄소 동소체는 풀러렌, 탄소나노튜브 또는 그래핀(graphene)을 포함하는 이차 전지용 전극의 제조 방법
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