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금 전구체 수용액을 준비하는 단계(단계 1); 및상기 금 전구체 수용액에 나노와이어 기판을 담그고 고정한 다음, 방사선에 노출하는 단계(단계 2);를 포함하고,상기 금 전구체 수용액은 HAuCl4·3H2O 분말 및 NaHCO3 시약 분말을 1:1로 혼합하여 수용액으로 제조한 G
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제1항에 있어서,상기 금 전구체 수용액은 0
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제1항에 있어서,상기 금 전구체 수용액은 0
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삭제
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제1항에 있어서,상기 나노와이어 기판에서 나노와이어는 ZnO, Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC 및 Ga2O3 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노와이어 기판에서 나노와이어는 ZnO로 이루어진 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 방사선은 X-선, 감마선, 또는 전자선인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 방사선은 X-선인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 방사선을 조사하는 방법은 금 전구체 수용액에 나노와이어 기판을 담그고 고정한 다음, 방사선에 고정노출(standing)하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제10항에 있어서,상기 방사선에 고정노출하는 시간은 1-60 분인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제11항에 있어서,상기 방사선에 고정노출하는 시간은 15-30 분인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 방사선을 조사하는 방법은 금 전구체 수용액에 나노와이어 기판을 담그고 고정한 다음, 방사선에 주사노출(scanning)하는 것을 특징으로 하되,상기 주사노출은 나노와이어 기판 Z-축의 위, 아래로 1 사이클당 2분간 노출하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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14
제13항에 있어서,상기 주사노출 횟수는 1-30 사이클인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제14항에 있어서,상기 주사노출 횟수는 2-20 사이클인 것을 특징으로 하는 제조방법
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