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ACIGS 박막의 저온 형성방법과 이를 이용한 태양전지의 제조방법(FORMING METHOD FOR ACIGS FILM AT LOW TEMPERATURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL BY USING THE FORMING METHOD)

  • 기술번호 : KST2017008583
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상대적으로 낮은 온도에서 간단한 공정으로 고효율의 CIGS계 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, Ag 박막을 형성하는 단계; 및 Ag 박막의 표면에 Cu, In, Ga 및 Se를 동시진공증발법으로 증착하는 ACIGS 형성단계로 구성되며, 상기 ACIGS 형성단계에서, Cu, In, Ga 및 Se를 증착하는 과정에서 Ag 박막을 구성한 Ag가 모두 확산되어 상기 동시진공증발된 Cu, In, Ga 및 Se와 함께 ACIGS를 형성하는 것을 특징으로 한다.본 발명은, Ag 박막을 먼저 형성한 뒤에 CIGS 원소를 동시진공증발 증착함으로써, 상대적으로 낮은 400℃ 이하의 온도에서 1단계의 동시진공증발 공정만으로 발전효율이 향상된 ACIGS 박막을 형성할 수 있는 효과가 있다.또한, 본 발명의 태양전지는 특유의 제조방법에 의해서 결정성이 향상된 ACIGS 박막을 광흡수층을 구비함으로써, 표면 보이드가 감소하고 결정립의 배향성이 향상되어 발전 효율이 향상된 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/0749 (2015.12.05) H01L 31/18 (2015.12.05) H01L 31/0392 (2015.12.05)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020150152424 (2015.10.30)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1734362-0000 (2017.05.02)
공개번호/일자 10-2017-0050635 (2017.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20170512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기환 대한민국 대전광역시 서구
2 윤재호 대한민국 대전광역시 서구
3 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
4 곽지혜 대한민국 대전광역시 유성구
5 어영주 대한민국 대전광역시 유성구
6 조아라 대한민국 대전광역시 유성구
7 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
8 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
9 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
10 박주형 대한민국 대전광역시 유성구
11 안승규 대한민국 대전광역시 서구
12 유진수 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1059569-61
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1258508-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0086940-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0508084-97
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0902292-72
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0902315-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0061478-00
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2017.02.24 수리 (Accepted) 7-1-2017-0007797-42
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0293349-02
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.03.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0293368-69
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0263259-90
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ag 박막을 형성하는 단계; 및Ag 박막의 표면에 Cu, In, Ga 및 Se를 동시진공증발법으로 증착하는 ACIGS 형성단계로 구성되며,상기 ACIGS 형성단계에서, Cu, In, Ga 및 Se를 증착하는 과정에서 Ag 박막을 구성한 Ag가 모두 확산되어 상기 동시진공증발된 Cu, In, Ga 및 Se와 함께 ACIGS를 형성하며,상기 ACIGS 형성단계가 300~400℃의 온도 범위에서 1단계의 CIGS 동시진공증발법으로 수행되고,제조대상인 ACIGS 박막에 포함된 Ag의 함량이 Ag/(Ag+Cu)를 기준으로 0
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3 3
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6 6
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CIGS계 광흡수층을 구비한 태양전지를 제조하는 방법으로서,상기 CIGS계 광흡수층을 제조하는 단계가 청구항 1의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP06316877 JP 일본 FAMILY
2 JP29128792 JP 일본 FAMILY
3 US20170125618 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2017128792 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6316877 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2017125618 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 신재생에너지 국제공동연구사업 고전압모듈용 CIGS계 박막 태양전지 원천 기술개발