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다공성 고분자 기재; 및 상기 다공성 고분자 기재의 기공에 함입된 고분자 전해질을 포함하는 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 음이온 이온 교환막에 있어서,상기 다공성 고분자 기재는 공극 부피가 70∼80%, 기공 사이즈가 0
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제1항에 있어서,상기 용액은 양이온기를 가지는 4가 암모늄염의 전해질 단량체 55∼70 중량부, 아크릴아미드계 가교제 10∼15 중량부 및 개시제 0
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제1항에 있어서, 상기 양이온기를 가지는 4가 암모늄염의 전해질 단량체는 (비닐벤질)트리메틸암모늄클로라이드[(Vinylbenzyl)trimethylammonium chloride] 또는 (3-아크릴아미도프로필)트리메틸암모늄클로라이드[(3-acrylamidopropyl) trimethylammonium chloride]인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 음이온 이온 교환막
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제1항에 있어서, 상기 아크릴아미드계 가교제는 N,N'-(1,2-디히드록시에틸렌)비스아크릴아미드, N,N'-메틸렌비스아크릴아미드, N,N'-메틸렌비스메타크릴아마이드 및 N,N'-비스아크릴로일피퍼라진으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 음이온 이온 교환막
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제1항에 있어서, 상기 개시제는 광 개시제 또는 열 개시제이며, 상기 광 개시제는 2-히드록시-2-메틸프로피오페논(2-Hydroxy-2-methylpropiophenone), 시바 가이기(Ciba Geigy)사의 Doracure 시리즈 또는 Irgacure 시리즈이며, 상기 열 개시제는 N,N'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 또는 벤조일퍼옥사이드(BPO)인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 음이온 이온 교환막
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(a) 양이온기를 가지는 4가 암모늄염의 전해질 단량체, 아크릴아미드계 가교제 및 개시제를 포함하는 용액에 다공성 고분자 기재를 함침시키는 단계; 및(b) 상기 단계 (a)에서 얻어지는 용액이 함침된 다공성 고분자 기재에 열을 가하거나 광(light)을 조사하여 다공성 고분자 기재 내에 가교 중합된 고분자 전해질을 형성시키는 단계를 포함하는, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 음이온 이온 교환막의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 단계 (a)에 제공되는 고분자 기재는 계면활성제를 이용해 친수화된 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 음이온 이온 교환막의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 단계 (b)는 상기 용액이 함침된 다공성 고분자 기재의 일측면 및 타측면에 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET; polyethylelenterephthalate) 필름을 적층한 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지용 바나듐 이온 저투과성 음이온 이온 교환막의 제조방법
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애노드(anode);캐소드(cathode);상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 배치되는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 음이온 이온교환막;상기 애노드에 공급되는 전해질 용액을 포함하는 애노드 전해질 공급부; 및상기 캐소드에 공급되는 전해질 용액을 포함하는 캐소드 전해질 공급부를 포함하는 레독스 흐름전지
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제9항에 있어서, 상기 캐소드 전해질은 (VO2)2SO4, VO(SO4), 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지
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제9항에 있어서, 상기 애노드 전해질은 VSO4, V2(SO4)3, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름전지
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