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기판;상기 기판 상에 형성된 질화물계 버퍼층(buffer layer);상기 질화물계 버퍼층 상에 수직한 방향으로, 서로 이격되어 형성된 복수의 나노로드층(nanorod layer); 상기 복수의 나노로드층 상에 형성된 질화물 양자점;상기 복수의 나노로드층 및 상기 질화물 양자점을 덮는 상부 콘택트층;을 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 나노로드층은 제1 도전형이고, 상기 상부 콘택트층은 제2 도전형인 발광 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제1 도전형의 나노로드층에 연결되는 것으로, 상기 질화물계 버퍼층 상에 형성되는 제1 전극;상기 제2 도전형의 상부 콘택트층에 연결되는 것으로, 상기 상부 콘택트층 상에 형성되는 제2 전극;을 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 질화물계 버퍼층은 GaN 을 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 나노로드층 사이에 채워진 투명 절연물층;을 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 나노로드층은 상기 질화물계 버퍼층과 격자상수가 유사한 산화아연(ZnO)을 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 질화물 양자점은 InGaN(Indium Gallium Nitride)을 포함하는 발광 소자
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제 7 항에 있어서,상기 질화물 양자점의 상기 인듐(In) 및 상기 갈륨(Ga)의 함량을 조절하여, 각각의 상기 질화물 양자점은 청색, 녹색 및 적색 중 적어도 하나의 빛을 방출하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 나노로드층과 상기 질화물 양자점 사이에 형성된 피라미드 형태의 물질층을 더 포함하는 발광 소자
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제 9 항에 있어서,상기 피라미드 형태의 물질층은 상기 질화물 양자점에 포함된 금속을 포함하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,각각의 상기 나노로드층 상에는 하나 또는 복수의 질화물 양자점이 형성되는 발광 소자
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기판;상기 기판 상에 형성된 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 제2 반도체층;상기 제2 반도체층 상에 수직한 방향으로, 서로 이격되어 형성된 복수의 나노로드층;상기 복수의 나노로드층 상에 형성된 질화물 양자점;상기 복수의 나노로드층 상에 형성되는 것으로, 상기 질화물 양자점을 덮는 상부 콘택트층;을 포함하는 발광 소자
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기판 상에 질화물계 버퍼층을 형성하는 단계;상기 질화물계 버퍼층 상에 나노로드층을 형성하는 단계;상기 나노로드층 상에 금속박막을 형성하는 단계;상기 금속박막을 금속 양자점으로 변화시키는 단계;상기 금속 양자점을 질화하는 단계; 및상기 질화된 금속 양자점 및 상기 나노로드층을 덮는 상부 콘택트층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계는,상기 질화물계 버퍼층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층에 상기 질화물계 버퍼층이 노출되도록 복수의 관통홀을 형성하는 단계;상기 관통홀에 상기 나노로드층을 이루는 물질층을 채우는 단계;를 포함하는 발광 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 질화물계 버퍼층 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 상부 콘택트층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 금속박막을 상기 금속 양자점으로 변화시키는 단계는, 상기 금속박막을 어닐링(annealing)하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 금속 양자점을 질화하는 단계는, 상기 금속 양자점에 대한 암모니아 형성조건을 조절하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조방법
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기판 상에 질화물계 버퍼층을 형성하는 단계;상기 질화물계 버퍼층 상에 나노로드층을 형성하는 단계;상기 나노로드층 상에 피라미드 형태의 물질층을 형성하는 단계;상기 피라미드 형태의 물질층의 끝부분에 질화물 양자점을 형성하는 단계; 및상기 질화물 양자점 및 상기 피라미드 형태의 물질층을 덮는 상부 콘택트층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 피라미드 형태의 물질층을 형성하는 단계는, 피라미드 형성 조건을 적용하여 상기 나노로드층 상에 상기 물질층을 성장시키는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 피라미드 형태의 물질층의 끝부분에 질화물 양자점을 형성하는 단계는,상기 피라미드 형태의 물질층이 포함하는 금속과 암모니아 가스를 함께 공급하는 단계를 포함하는 소자의 제조방법
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