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내부에 튜브 형상의 빈 공간이 형성된 산화막을 포함하는 기판;상기 튜브 형상의 빈 공간이 형성된 산화막 상부에 형성된 히터 전극층;상기 히터 전극층 상부에 형성된 절연층;상기 절연층 상부에 형성되되 상기 튜브 형상의 빈 공간 양측 상부에 형성된 센서 전극층; 및상기 절연층 및 센서 전극층 상부에 형성된 가스 감지층;을 포함하되,상기 튜브 형상의 빈 공간이 형성된 산화막 상부에 형성된 절연층 위에 금속 산화물 입자를 더 포함하고,상기 히터 전극층은 루테늄(Ru)이고,상기 가스 감지층은 이산화주석(SnO2)인 것을 특징으로 하는, 반도체 가스센서
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 유리 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 반도체 가스센서
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제1항에 있어서,상기 절연층은 SiO2 또는 Si3N4인 것을 특징으로 하는 반도체 가스센서
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제1항에 있어서,상기 센서 전극층은 Au, W 및 Pt로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 반도체 가스센서
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산화막을 포함하는 기판에서 상기 산화막을 이방 건식 식각시킨 후 등방 습식 식각시켜 튜브 형상의 빈 공간을 형성시키는 단계;상기 튜브 형상의 빈 공간이 형성된 산화막에 화학기상 증착법 또는 원자층 증착법으로 히터 전극층을 형성시킨 후 절연층을 형성시키는 단계; 및상기 절연층의 상부에 센서 전극층을 패터닝하여 센서 전극층을 형성시킨 후 화학기상 증착법 또는 원자층 증착법으로 가스 감지층을 형성시키거나, 상기 절연층 상부에 화학기상 증착법 또는 원자층 증착법으로 가스 감지층을 형성시킨 후 상기 가스 감지층 상부에 센서 전극층을 패터닝하여 센서 전극층을 형성시키는 단계;를 포함하되,상기 히터 전극층은 루테늄(Ru)이고,상기 가스 감지층은 이산화주석(SnO2)이고, 상기 튜브 형상의 빈 공간이 형성된 산화막 상부에 형성된 절연층 위에 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 화학기상 증착법 및 분사법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 이용하여 금속산화물을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 가스센서의 제조방법
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